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Vishay 推出采用具 1.2mm×1.0mm 业界最小占位面积的 MICRO FOOT® 芯片级封装的 新型 20V P 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET

Si8445DB 将 0.59mm 的超薄厚度 与 1.2V VGS时的 0.495Ω 低导通电阻进行了完美结合


Si8445DB

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宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 6 月 18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET,该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装,具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。

随着便携式电子设备的体积越来越小,以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装 — 这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特点。

凭借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积,Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%,同时具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS时 0.495Ω~4.5V VGS时 0.084 Ω的低导通电阻范围。1.2 V 时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求,从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。

目前,该新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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TrenchFET 及 MICRO FOOT 为 Siliconix Incorporated 的注册商标。

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