2008년 9월 24일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 업계 최초의 30V 모노리식(monolithic) 파워 MOSFET 및 쇼트키(Schottky) 다이오드를 출시한다고 밝혔다. 이 제품은 상하 열 방출 경로를 제공하는 강제 에어 쿨링 기능의 패키지로 제공되어 시스템에서 최고의 성능을 실현할 수 있다. 양면 쿨링 기능의 PolarPAK® 패키지로 제공되는 새로운 SkyFET® SiE726DF 디바이스는 고전류 및 고주파수 애플리케이션을 위해 효율이 향상된 것이 특징이다.

서버 및 통신 시스템의 고전류 DC/DC 컨버터, VRM 애플리케이션, 그래픽 카드 및 POL(point-of-load)을 위한 동기 정류에서 로우사이드 제어 스위치를 위해 최적화 된 새로운 SiE726DF는 10V 게이트 드라이브(4.5V에서 최대 0.0033Ω)에서 0.0024Ω의 낮은 온저항을 제공하며, 히트싱크(heatsink) 없이 동일한 풋프린트 크기의 SO-8 패키지에 비해 50% 높은 전류 레벨을 처리할 수 있다. 이 디바이스는 50nc의 일반 게이트 충전을 제공하며, 슛쓰루(shoot-through) 방지를 돕기 위해 낮은 Q_gd/Q_gs 비율을 제공한다.

30nc의 Q_rr 및 0.37V의 V_SD(둘 다 표준 MOSFET보다 50%이상 낮음)를 제공하는 SiE726DF 통합 MOSFET 및 쇼트키 다이오드는 기생(parasitics)이 적고, MOSFET의 바디 다이오드에 연결된 전력 손실이 감소되어 효율을 증가시킨다. 스위칭 주파수가 증가하면서 전력 손실의 감소는 더욱더 커진다. 뿐만 아니라 외부 쇼트키 다이오드를 사용하지 않기 때문에 설계자들은 비용을 절감하면서 더욱 작고 컴팩트한 회로를 설계할 수 있다.

이 제품은 PolarPAK 패키지의 양면 쿨링 특성을 통해 고전류 애플리케이션을 위한 열 성능이 더욱 향상되었다. 또한 1°C/W (상) 및 1°C/W (하)의 열 저항을 제공하여 더 낮은 접합 온도에서도 동작이 가능하다. 리드프레임 기반의 캡슐화 설계 방식을 통해 보호 기능과 신뢰성이 한층 더 강화되었으며, 다이가 노출되지 않기 때문에 제조 과정이 보다 간소화되었다. 이 디바이스는 보다 쉽게 PCB 설계를 할 수 있도록 다이 사이즈에 관계없이 동일한 레이아웃을 제공하며, 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤다.

현재 SiE726DF의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 10 ~ 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000개 기업에 등록되어 나스닥 시장에서 VSH로 거래되는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, MOSFET, 적외선 광전자) 및 수동 전자 부품(저항, 인덕터 및 커패시터) 전문 계발 업체이다. 이들 부품은 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 전기 통신, 군사, 항공 우주 산업, 전원 장치 및 의료 분야 등 거의 모든 전자 부품 및 장비에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 비쉐이에 관한 자세한 정보는 웹사이트www.vishay.com 참조.

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SkyFET 및 PolarPAK은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.