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For more information: Neuer 25-V-TrenchFET®-Gen-III-Leistungs-MOSFET von Siliconix bietet unter allen vergleichbaren Typen im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand (2,1mΩ bei 4,5V bzw. 1,7mΩ bei 10V)Überlegener FOM-Wert (Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 89,25nC
Malvern, Pennsylvania (USA) – 22. Oktober 2008. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs um einen neuen 25-V-n-Kanal-Typ erweitert, der unter allen Typen mit dieser Sperrspannung im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand und das kleinste Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung bietet. Der neueSiR476DPbietet einen maximalen On-Widerstand von 2,1mΩ bei einer Gate-Spannung von 4,5V bzw. 1,7mΩ bei 10V. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, eine wichtige "Figure of Merit" (FOM) von MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 89,25nC bei 4,5V. Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten, die für niedrige Durchlass- und Schaltverluste optimiert sind, bedeuten diese Spezifikationen eine Verbesserung beim On-Widerstand um 32% bei 4,5V bzw. 15% bei 10V, und einen um 42% niedrigeren FOM-Wert. Der niedrigere On-Widerstand und die geringere Gate-Ladung führen zu niedrigeren Durchlass- und Schaltverlusten. Der SiliconixSiR476DPist vorgesehen für den Einsatz als Low-Side-MOSFET in Synchron-Abwärtsreglern und in Sekundär-Synchrongleichrichter- und ODER-Verknüpfungsanwendungen. Durch seine geringen Durchlass- und Schaltverluste ermöglicht der neue MOSFET wirkungsgradstärkere und platzsparende Designs für Spannungsreglermodule (VRMs), Server und Systeme unterschiedlichster Art, die mit Point-of-load- (POL) Spannungswandlern arbeiten. Neben dem SiR476DP präsentiert Vishay noch zwei weitere 25-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit den TypenbezeichnungenSiR892DPundSiR850DP. Diese Bauteile haben einen On-Widerstand von 4,2mΩ bzw. 9mΩ bei 4,5V, einen On-Widerstand von 3,2mΩ bzw. 7mΩ bei 10V und eine typische Gate-Ladung von 20nC bzw. 8,4nC. Alle drei neuen Leistungs-MOSFETs werden im PowerPAK-SO-8-Gehäuse angeboten. Die Bauteile sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform; sie entsprechen den Anforderungen internationaler Richtlinien zur Vermeidung umweltschädlicher Substanzen. Die neuen Leistungs-MOSFETsSiR476DP,SiR892DP, undSiR850DPsind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zehn bis zwölf Wochen.
Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com. TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated. |








