2008년 10월 22일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 25V 정격 전압의 디바이스를 위해 업계 최저 수준의 온저항 및 온저항 x 게이트 충전을 제공하는 PowerPAK® SO-8 패키지 형태의 새로운 25V n채널 디바이스를 개발, 자사의 Gen III TrenchFET® 파워 MOSFET 제품군을 확대한다고 밝혔다.

SiR476DP는 4.5V 게이트 드라이브에서 2.1mΩ, 10V 게이트 드라이브에서 1.7mΩ의 최대 온저항을 제공한다. DC/DC 컨버터 애플리케이션에서 MOSFET에 대한 FOM(figure of merit)인 온저항 x 게이트 충전은 4.5V에서 89.25nC이다.

저 전도 손실 및 저 스위칭 손실에 최적화 되어 있는 가장 유사한 디바이스와 비교해 볼 때 이러한 사양은 4.5V에서 32% 및 10V에서 15%의 온저항이 향상되었으며, FOM이 42% 낮아진 것이다. 온저항과 게이트 충전이 낮아졌다는 것은 곧 전도와 스위칭 손실이 적다는 것을 의미한다.

Siliconix SiR476DP는 싱크로너스 벅 컨버터와 2차 싱크로너스 정류 및 OR-ing 애플리케이션에서 로우사이드 MOSFET로 사용된다. 이 제품은 전도 및 스위칭 손실이 적기 때문에 VRM(voltage regulator modules), 서버 및 POL(point-of-load) 전력 변환을 이용하는 각종 시스템을 위한 더욱 전력 및 공간 효율적인 설계가 가능하도록 한다.

비쉐이는 이와 함께 새로운 25V SiR892DP 및 SiR850DP n채널 파워 MOSFET도 출시했다. 이들 디바이스는 각각 4.5V에서 4.2mΩ 및 9mΩ, 10V에서 3.2mΩ 및 7mΩ의 온저항을 제공하며, 일반 게이트 충전은 20nC 및 8.4nC이다. 이들 새로운 파워 MOSFET 3개 제품 모두 PowerPAK SO-8 패키지 형태로 제공된다. 이들은 모두 무연, 무할로겐이며, RoHS 지침을 준수하기 때문에 위험 물질 제거에 대한 국제 규제 요건을 충족한다.

현재 SiR476DP, SiR892DP, 및 SiR850DP의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 10 ~ 12주의 리드 타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000개 기업에 등록되어 나스닥 시장에서 VSH로 거래되는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, MOSFET, 적외선 광전자) 및 수동 전자 부품(저항, 인덕터 및 커패시터) 전문 계발 업체이다. 이들 부품은 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 전기 통신, 군사, 항공 우주 산업, 전원 장치 및 의료 분야 등 거의 모든 전자 부품 및 장비에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 비쉐이에 관한 자세한 정보는 웹사이트www.vishay.com 참조.

###

TrenchFET 및 PowerPAK은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.