宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 10 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。

该SiR476DP在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.1mΩ，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 89.25nC。

与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别低 32% 与 15%，FOM 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。

Siliconix SiR476DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中作为低端 MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。

Vishay 还推出了新型 25V SiR892DP 和SiR850DPn 通道 MOSFET。这些器件在 4.5V 时提供了 4.2mΩ 与 9mΩ 的导通电阻，在 10V 时为 3.2mΩ 及 7mΩ，典型栅极电荷为 20nC 及 8.4nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装类型。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

目前，SiR476DP, SiR892DP, 及SiR850DP的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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TrenchFET 及 PowerPAK 为 Siliconix Incorporated 的注册商标。