ペンシルバニア州マルバーン市、2008年12月 3日：ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、Gen III TrenchFET® パワーMOSFETのファミリーに初のTurboFET™技術による20Vおよび30Vのデバイスを追加しました。新しい電荷バランス式のドレイン構造で、ゲート電荷の最大45％削減とスイッチング損失の大幅な低減、スイッチングの高速化を実現しています。

20VデバイスのSiS426DNは、フットプリント3 x 3 mmのPowerPAK® 1212-8によるこの定格電圧のデバイスとしてはオン抵抗とゲート電荷の積が業界最小です。オン抵抗とゲート電荷の積で表されるDC/DCコンバータ用MOSFETの性能指数（FOM）は、SiS426DNの場合ゲートドライブ電圧が4.5Vで76.6 mΩ-nC、10Vで117.60 mΩ-nCですが、これはゲート電荷としてはそれぞれ13.2nC（＠4.5 V）と28nC（＠10V）に相当します。

最も近い競合デバイスと比較した場合、この仕様はゲート電荷で45％（＠4.5 V）～36％（＠10 V）、FOMで50％も低い値を実現しています。ゲート電荷が小さいため全周波数でスイッチングの効率が向上しますが、特に高い周波数での動作が可能になるため、DC/DCコンバータでは受動部品の小型化が可能になります。

ビシェイ社の30V TurboFET製品には、PowerPAK 1212-8による新製品のSi7718DNと、PowerPAK SO-8によるSi7784DPがあり、いずれもゲート電荷が13.7 nC（＠4.5V）～30 nC（＠10V）で、オン抵抗とゲート電荷の積によるFOMは112.34 mΩ-nC（＠4.5V）～180 mΩ-nC（＠10V）です。20VデバイスSiS426DNのPowerPAK SO-8パッケージ版による大電流用としてSiR496DPも同様に提供されます。本日発表されたこれらデバイスはいずれもハロゲンフリーで、RgおよびUISは100％試験されています。

各デバイスは同期バックコンバータの上側MOSFETとして使用され、ノートPC、電圧レギュレータモジュール（VRM）、サーバ、およびその他のポイントオブロード（POL）電源変換を使用するシステムで利用されます。

デバイスの仕様表：

部品番号	SiS426DN	SiR496DP	Si7718DN	Si7784DP
パッケージ	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8
VDS	20		30
RDS(on)@ 4.5 V	5.8 mΩ		8.2 mΩ
RDS(on)@ 10 V	4.2 mΩ		6 mΩ
QG (Typ.) @ 4.5 V	13.2 nC		13.7 nC
QG (Typ.) @ 10 V	28 nC		30 nC
RDS(on) x QG @ VGS = 4.5 V	76.6 mΩ-nC		112.34 mΩ-nC
RDS(on) x QG @ VGS = 10 V	117.6 mΩ-nC		180 mΩ-nC

TurboFET技術による新しいGen IIIパワーMOSFETのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文時の納期は10～12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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TrenchFETおよびPowerPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標です。またTurboFETは同じくシリコニクス社の商標です。