2008년 12월 3일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 20V(2개) 및 30V(2개) N 채널 디바이스를 출시, 자사의 Gen III TrenchFET® 파워 MOSFET을 확대한다고 밝혔다. 이들 제품은 업계 최초로 TurboFET™ 기술을 제공하며, 최대 45%까지 게이트 충전을 낮출 수 있는 새로운 충전 밸런스 드레인 구조를 사용함으로써 스위칭 손실을 대폭 줄이고 더욱 빠른 스위칭을 제공할 수 있다.

20V SiS426DN 디바이스는 3mm x 3mm PowerPAK® 1212-8 풋프린트로 동급 정격 전압을 가지는 제품 중 업계 최저 수준의 온저항 x 게이트 충전을 제공한다. DC/DC 컨버터의 MOSFET에 있어서 핵심적인 FOM(figure of merit)은 SiS426DN의 경우, 4.5V에서 76.6 mΩ-nC 및 10V에서 117.60 mΩ-nC로, 일반 게이트 충전이 4.5V 게이트 구동에서는 13.2nC, 10V 게이트 구동에서는 28nC로 낮다.

유사 경쟁 제품과 비교해 볼 때 이는 게이트 충전이 4.5V에서 45%, 10V에서 36% 감소한 수준이며, FOM은 50% 감소한 것이다. 게이트 충전이 낮다는 것은 모든 주파수에서 더욱 효율적인 스위칭이 이루어진다는 것을 의미하며, 특히 더 높은 주파수에서 동작하도록 설계자들에게 옵션을 제공해 DC/DC 컨버터에서 소형 수동 부품을 사용할 수 있도록 해준다.

비쉐이의 30V TurboFET은 PowerPAK 1212-8 패키지 형태의 Si7718DN신제품과 PowerPAK SO-8의 Si7784DP가 포함된다. 두 MOSFET 모두 일반 게이트 충전은 4.5V에서 13.7nC이며, 10V에서 30nC이다. 온저항 x 게이트 충전 FOM은 4.5V에서 112.34 mΩ-nC, 10V에서 180 mΩ-nC이다. 고전류 애플리케이션을 위해 20V SiS426DN 디바이스의 PowerPAK SO-8 버전인 SiR496DP도 제공된다. 이번에 출시된 모든 제품은 무할로겐 제품이며, 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤다.

이들 디바이스는 싱크로너스 벅 컨버터에서 하이사이드 MOSFET으로 사용되며, 노트북 컴퓨터, 전압 레귤레이터 모듈(VRM), 서버, 및 기타 POL(point-of-load) 전력 변환 시스템에서 전력을 절약하는데 도움을 준다.

제품 특징:

부품 번호	SiS426DN	SiR496DP	Si7718DN	Si7784DP
패키지	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8
VDS	20		30
RDS(on) at 4.5 V	5.8 mΩ		8.2 mΩ
RDS(on) at 10 V	4.2 mΩ		6 mΩ
QG (Typ.) at 4.5 V	13.2 nC		13.7 nC
QG (Typ.) at 10 V	28 nC		30 nC
RDS(on) x QG @ VGS = 4.5 V	76.6 mΩ-nC		112.34 mΩ-nC
RDS(on) x QG @ VGS = 10 V	117.6 mΩ-nC		180 mΩ-nC

현재 TurboFET 기술이 적용된 새로운 Gen III power MOSFET의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 10 ~ 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000개 기업에 등록되어 나스닥 시장에서 VSH로 거래되는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, MOSFET, 적외선 광전자) 및 수동 전자 부품(저항, 인덕터 및 커패시터) 전문 계발 업체이다. 이들 부품은 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 전기 통신, 군사, 항공 우주 산업, 전원 장치 및 의료 분야 등 거의 모든 전자 부품 및 장비에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 비쉐이에 관한 자세한 정보는 웹사이트www.vishay.com 참조.

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TrenchFET 및 PowerPAK은 등록상표이며, TurboFET은 Siliconix incorporated의 상표이다.