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Vishay Siliconix präsentiert neue 20-V- und 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs mit dem niedrigsten On-Widerstand unter allen vergleichbaren Typen im SO-8-Gehäuse: bis hinab zu 3,3 mΩ bei 10 V bzw. 5,5 mΩ bei 4,5 V


TrenchFET

Products mentioned:

Si7633DP
Si7135DP
Si4459ADY
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 17. Dezember 2008. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert neue 20-V- und 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs mit ±20 V Gate-Source-Spannung, die unter allen vergleichbaren Produkten im SO-8-Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand aufweisen.

Alle am Markt erhältlichen Wettbewerbsprodukte mit diesen Spannungsspezifikationen im SO-8-Gehäuse haben On-Widerstände von 24 mΩ oder mehr; derSi7633DPhingegen glänzt mit einem ultra-niedrigen On-Widerstand von nur 3,3 mΩ bei 10 V bzw. 5,5 mΩ bei 4,5 V. Diese Werte sind um 27% (bei 10 V) bzw. 28% (bei 4,5 V) niedriger als beim nächstbesten 30-V-Wettbewerbsprodukt und um 28% bzw. 15% niedriger als beim nächstbesten 25-V-Wettbewerbsprodukt im SO-8-Gehäuse. Der 30-V-Leistungs-MOSFETSi7135DPbietet einen On-Widerstand von nur 3,9 mΩ bei 10 V bzw. 6,2 mΩ bei 4,5 V. Diese Werte sind 13% (bei 10 V) bzw. 19,5% (bei 4,5 V) niedriger als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt.

Die beiden neuen MOSFETs im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse erlauben einen um 60% höheren maximalen Drain-Strom und eine um 75% höhere maximale Verlustleistung als vergleichbare Typen im "normalen" SO-8-Gehäuse.

Die Bauteile sind vorgesehen zur Verwendung als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwendungen in Notebook-Computern und industriellen/allgemeinen Systemen. Netzadapterschalter (zur Umschalten zwischen Netzadapter oder Batterie als den Betriebsspannungsquelle) sind immer eingeschaltet und verbrauchen Strom. Der niedrigere On-Widerstand der MOSFETs Si7135DPundSi7633DPresultiert in einer entsprechend geringeren Leistungsaufnahme; dadurch wird Strom gespart, und die Akkulaufzeit verlängert sich.

Kürzlich hat Vishay außerdem einen weiteren 30-V-p-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, denSi4459ADY, vorgestellt. Das Bauteil bietet einen On-Widerstand von 5 mΩ bei 10 V bzw. 7,75 mΩ bei 4,5 V. Alle heute vorgestellten Bauteile werden 100%-ig Rg- und UIS-getestet und sind halogenfrei.

Die neuen TrenchFET-Leistungs-MOSFETsSi7135DPundSi7633DPsind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 10 bis 12 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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