宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 12 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号: VSH）日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 mΩ ，而 Si7633DP具有 3.3 mΩ （在 10 V 时）及 5.5 mΩ （在4.5 V 时）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类 30-V 器件低 27%（在 10 V 时）和 28% （在4.5 V 时），比最接近的同类 25-V SO-8 器件分别低 28% 和 15%。30-V Si7135DP的导通电阻为 3.9 mΩ（在 10 V 时） 和 6.2 mΩ（在4.5 V 时），比最接近的同类器件分别低 13% （在 10 V 时）和 19.5% （在4.5 V 时）。

两款 MOSFET均采用 PowerPAK® SO-8 封装，可容许比其它 SO-8 封装器件高 60% 的最大漏电流和高 75 % 的最大功率损耗。

该器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7135DP 和Si7633DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

Vishay 还推出了采用 SO-8 封装的 Si4459ADY30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。该器件具有 5 mΩ（在 10 V 时）和 7.75 mΩ（在4.5 V 时）的导通电阻。此次推出的所有器件 100% 通过 Rg 和 UIS 认证，且不含卤素。

目前，该新型 Si7135DP 和Si7633DPTrenchFET 功率 MOSFET可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

###

PowerPAK 和 TrenchFET 是 Siliconix incorporated 的注册商标。