ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、Gen III(第三世代) TrenchFET®技術による、新しい20Vのデュアル PチャネルパワーMOSFET「SiA921EDJ」を発表しました。熱的に強化された2mm x 2mmのフットプリントサイズによるPowerPAK® 0パッケージで、デュアルPチャネルMOSFETでは業界最小のオン抵抗を実現しています。

SiA921EDJの超小型パッケージの発表により、ビシェイ社のPチャネル TrenchFET Gen III技術は、ハンドヘルド製品まで拡張されました。当製品はDC/DCバックコンバータ、および携帯電話、スマートフォン、PDA、MP3プレーヤなどの携帯機器におけるロードスイッチ、PAスイッチ、バッテリスイッチなどに利用されます。SiA921EDJの低いオン抵抗は消費電力も小さく、省電力化や電池動作時間の長時間化に有効です。

SiA921EDJのオン抵抗は極めて低く、4.5Vで59mΩ、2.5Vで98mΩです。Gen III TrenchFET技術によるMOSFETの低いオン抵抗は導通損失の低減を意味するもので、これまでの市販PチャネルパワーMOSFETでは得られなかった最小限の電力損失でスイッチング動作が可能になります。

最も近い競合Pチャネルデバイスでも、a ≥ 12-Vゲートソース間定格電圧で、オン抵抗は95mΩ（＠4.5V）、141mΩ（＠2.5V）もあり、これはSiA921EDJと比較するとそれぞれ、38%、44%も高い値となります。PowerPAK SC-70の小型な2mm x 2mmという大きさは、TSOP-6と比べて半分のサイズでありながら、同等のオン抵抗を提供します。

このデバイスはハロゲンフリーで、IEC-61249-2-21に準拠しています。

SiA921EDJ TrenchFET パワーMOSFETのサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産時の納期は10～12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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TrenchFETおよびPowerPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標です。