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For more information: ビシェイ社、新しいIGBT/MOSFETドライバを発表最大供給電圧32V、最大動作温度+ 110 °C、最大電流2.5 mAで 熱・電力効率を向上
ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、オプトカプラ製品シリーズに2種の新しいMOSFET/IGBTドライバを追加しました。 本日リリースされた2.5Aの「VO3120」と0.5Aの「VO3150A」は、動作電圧範囲および周辺温度範囲が非常に幅広く、また低消費電力なため、モータードライブ、インダクション・ストーブトップ、電源、その他多くの高電圧アプリケーションにおいて、優れた温度管理と柔軟な設計を実現します。 VO3120 と VO3150Aはそれぞれ、動作電圧範囲15V~32Vの出力ステージを持つ1個の集積回路と光結合したLED1個で構成されています。VO3120 と VO3150Aの最大出力電力はそれぞれ2.5A、0.5Aです。IGBTの直接駆動に最適なドライバで、定格は最大800V、50A(VO3120)/20A(VO3150A)です。動作電圧は業界最高値の32Vであり、両側電源を必要とする大型モジュールを駆動することが可能なため、設計者にとっては電力部品の選択肢が増えることになります。 最大動作温度は+ 110 °Cで、IGBTに対してより近接に配置、または、より小さなヒートシンクの使用が可能となるため、設計者の温度管理の負荷を軽減します。また、2.5 mAという低消費電力も、電力・熱損失を最小限にします。熱モデルは既にご提供可能で、設計者は熱シミュレーションを行うことができます。 VO3120およびVO3150Aは鉛フリーで、RoHS準拠のDIP-8およびSMD-8バージョンでご利用いただけます。サンプルは既にご提供可能です。量産開始は2009年6月を予定しており納期は6週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。
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