Malvern, Pennsylvania (USA) – 15. Juli 2009. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine integrierte DrMOS-Lösung, die in einem einzigen PowerPAK® -MLF6x6-Gehäuse einen High-Side- und einen Low-Side-N-Kanal-MOSFET mit einem komplettes MOSFET-Treiber-IC vereint. Das neueSiC769ist in zwei Versionen erhältlich, die auf 3,3-V- bzw. 5-V-Controller zugeschnitten sind. Es erfüllt alle Anforderungen der DrMOS-Spezifikation für Spannungsregler (VRs, Voltage Regulators) in Servern und Desktop-Computern, Grafikkarten, Workstations, Spielkonsolen und anderen Systemen auf der Basis von Hochleistungs-CPUs. Der Chip erlaubt Taktfrequenzen bis über 1 MHz und ermöglicht es somit die Größe und Kosten von mehrphasigen Spannungswandlern zu optimieren.

DasSiC769hat einen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 16 V und kann Dauerausgangsströme bis 35 A liefern. Die integrierten Leistungs-MOSFETs wurden für Ausgangsspannungen im Bereich von 0,8 V bis 2,0 V bei einer Nenneingangsspannung von 12 V optimiert. Darüber hinaus kann dasSiC769in ASIC-Anwendungen bei 5 V Ausgangsspannung sehr hohe Leistungen liefern.

Das hochentwickelte Gate-Treiber-IC imSiC769wird vom VR-Controller mit einem einzigen PWM-Signal angesteuert und erzeugt daraus die Gate-Steuersignale für die High-Side- und Low-Side-MOSFETs. Das PWM-Steuersignal ist mit allen Controllern kompatibel und unterstützt insbesondere Controller mit Tri-State-PWM-Ausgang. Das Treiber-IC enthält eine Schaltung zur Erkennung von geringen Lasten und kann bei Systemen, die für hohen Wirkungsgrad bei geringer Last optimiert wurden, automatisch in den Skip-Modus (SMOD) umschalten. Eine adaptive Regelung der Totzeit trägt zur weiteren Steigerung des Wirkungsgrads bei. Das SiC769 bietet folgende Schutzfunktionen: UVLO, "Shoot-through"-Schutz gegen gleichzeitiges Durchschalten beider MOSFETs sowie eine Übertemperatur-Warnfunktion, die das System bei zu hoher Sperrschichttemperatur alarmiert.

Mit der kompakten Bauweise, die dasSiC769Treiber-IC und die Leistungs-MOSFETs vereint, verringern sich die Schaltverluste und die Auswirkungen der parasitären Impedanzen, die bei diskreten, schnellen Leistungsstufen unvermeidlich sind. Das Gehäuse desSiC769wurde speziell auf sehr gute thermische Eigenschaften optimiert und kann bis zu 30% mehr Leistung abführen als die vergleichbaren Gehäuse anderer Hersteller. Entwickler haben die Möglichkeit, mit hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten und so das Einschwingverhalten zu optimieren, die Bauteilkosten des Ausgangsfilters zu reduzieren und in Anwendungen mit mehreren Phasen den größtmöglichen Wirkungsgrad zu erzielen. Dadurch verringert sich auch der Platzbedarf auf der Leiterplatte und es bleibt mehr Platz für die Kerntechnologien, die dem Endprodukt einen Wettbewerbsvorteil verschaffen.

DasSiC769ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zehn Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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