宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V V_DS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。

已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V时的导通电阻低至34mΩ，比最接近的竞争器件低21%。

PowerPAK SC-75封装的尺寸为1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比广泛使用的TSOP-6器件小72%，同时具有近似的导通电阻。而对设计者来说，更小尺寸的PowerPAK SC-75能够在便携式电子产品中节省空间、降低功耗，从而在满足消费者对电池运行时间要求的前提下，提供更多的功能。

N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型应用包括负载、功放和便携式电子产品中的电池开关。与常用的3mm x 3mm封装相比，该器件可节约在1/8砖或1/16砖电源模块中的所占空间。SiB408DK还可用做笔记本电脑和上网本中的负载开关。

这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通过了Rg和UIS测试。

器件规格表

型号	SiB414DK	SiB412DK	SiB408DK
VDS	8 V	20 V	30 V
VGS	± 5 V	± 8 V	± 20 V
RDS(ON) @ 10 V			40 mΩ
RDS(ON) @ 4.5 V	26 mΩ	34 mΩ	50 mΩ
RDS(ON) @ 2.5 V	30 mΩ	40 mΩ
RDS(ON) @ 1.8 V	37 mΩ	54 mΩ
RDS(ON) @ 1.5 V	52 mΩ
RDS(ON) @ 1.2 V	89 mΩ

新款N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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TrenchFET和PowerPAKSiliconix incorporated的注册商标。