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Neue 600-V-Super-Junction-FET™-Leistungs-MOSFETs im TO-220-, TO-220F und TO-247- und TO-263-Gehäuse von Vishay Siliconix bieten On-Widerstand von nur 0,190-Ω


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Malvern, Pennsylvania (USA) – 22. Januar 2010 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert vier neue 600-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F-, TO-247- und TO-263-Gehäuse. Hierbei handelt es sich um die ersten Typen in Super-Junction-FET™-Technologie, die in diesen Gehäusebauformen angeboten werden.

Die neuen MOSFETs SiHP22N60S (TO-220), SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK), SiHG22N60S (TO-247) und SiHB22N60S (TO-263) sind für 600 V Sperrspannung ausgelegt und haben bei 10 V Gate-Spannung einen ultra-niedrigen On-Widerstand von maximal 0,190 Ω. Der niedrige RDS(on) führt zu geringeren Durchlassverlusten und zu Energieeinsparungen bei Leistungsfaktorkorrektur- (PFC) und Pulsbreitenmodulations- (PWM) Anwendungen in elektronischen Systemen unterschiedlichster Art, von LCD-TVs über PCs und Server bis zu Schaltstromversorgungen (SMPS) und Telekom-Systemen.

Eine weitere Besonderheit neben dem kleinen On-Widerstand ist die geringe Gate-Ladung von nur 98 nC. Das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand, ein wichtiges Leistungsmerkmal (FOM, Figure of Merit) von MOSFETs, die für Spannungswandleranwendungen vorgesehen sind, beträgt nur 18,62 Ω*nC.

Um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten, werden die Bauteile zu 100 % Avalanche-getestet und haben hohe Grenzwerte für die Avalanche-Energie bei Mehrfachimpulsen (EAR). Die Spitzenstrombelastbarkeit beträgt 65 A (Puls) bzw. 22 A (kontinuierlich). Für alle vier Typen ist die effektive Ausgangskapazität spezifiziert.

Im Vergleich zu 600-V-Leistungs-MOSFETs der vorigen Generation zeigen die neuen Transistoren ein verbesserte Verhalten bei der Transkonduktanz und Reverse Recovery. Die MOSFETs sind mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC. konform.

Muster der neuen Super-Junction-FET-MOSFETs sind sofort lieferbar. Produktionsstückzahlen sind ab Q1/2010 lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 8 bis 10 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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Super Junction FET ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology.

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