2009年1月22日発 - ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、ビシェイ・シリコニクスブランドで、Super Junction FET™技術の使用をTO-220、TO-220F、TO-247、TO-263のパッケージまで拡大した、4種の新しい600V MOSFETを発表しました。

本日発表した新デバイスのSiHP22N60S (TO-220)、 SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK)、 SiHG22N60S (TO-247)、SiHB22N60S (TO-263)は、定格電力600Vで、10Vのゲート駆動時に0.190Ωの極めて低いオン抵抗（Max.値）を実現します。この低いオン抵抗（R_DS(on)）は導通損失の低減を意味するもので、液晶テレビ、パソコン、サーバ、スイッチモード電源（SMPS）、テレコムシステムなど、幅広い電子システムにおいて、力率補正（PFC）やパルス幅変調（PWM）方式のアプリケーションの節電に役立ちます。

低オン抵抗の他にも、新しいデバイスはQg値(Max.)98nCにより低いゲートチャージ時間を特長としています。電力変換アプリケーションにおけるMOSFETの重要な性能指数（FOM）であるゲート電荷とオン抵抗の積は18.62 Ω*nCと低い値です。

これらのデバイスは100%アバランシェ･テスト済みで、高い反復の(EAR)アバランシェ・エネルギー機能を備えており、信頼性の高い動作を実現します。ピーク電流処理能力はパルスで65A、連続で22Aです。4種のデバイスは全て、有効出力キャパシタンス仕様を特長としています。

前世代の600VパワーMOSFETと比べ、この新しいデバイスでは相互コンダクタンス、および逆回復特性が向上しています。また、ROHS 指令2002/95/ECにも適合しています。

新しいSuper Junction FET MOSFETのサンプルは既にご提供可能です。製品は2010年第1四半期に量産開始で、納期は8～10週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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Super Junction FETは、Vishay Intertechnologyの商標です。