宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 1 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET，将其Super Junction FET™技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。

新的SiHP22N60S (TO-220)、 SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK)、 SiHG22N60S (TO-247)、 和 SiHB22N60S (TO-263) 具有600V的电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低 R_DS(on) 意味着更低的导通损耗，从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。

除低导通电阻之外，这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值(FOM)，这些器件的FOM可低至 18.62 Ω*nC。

为可靠起见，这些器件均进行了完整的雪崩测试，具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。

与前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款Super Junction FET MOSFET现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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Super Junction FET 是Vishay Intertechnology公司的注册商标。