2010年2月24日発 - ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、PWMに最適化されたハイサイドおよびローサイドのNチャネルMOSFET、フル機能のMOSFETドライバIC、ブートストラップ・ダイオードをすべて一つのPowerPAK® MLF 6ミリ角 40ピンパッケージに搭載した、ビシェイ・シリコニクス ブランドのDrMOSソリューション「SiC762CD」を発表しました。この新しいSiC762CDは、サーバ、デスクトップPC、グラフィックスボード、ワークステーション、ゲーム機、およびその他の高性能CPUベースのシステムにおける電圧レギュレータ（VR）のDrMOS仕様に完全に準拠します。また、1MHz以上の動作周波数が可能で、92%の高効率を実現しています。

SiC762CDは3V～17Vの入力電圧で動作し、出力電流は最大35Aです。この集積型パワーMOSFETは0.8V～2.0Vの出力電圧に最適であり、公称入力電圧は24Vです。また、ASIC用に5V出力も提供します。

SiC762CDに搭載された最新のゲートドライバICは、VRコントローラから一つのPWM入力を受け取り、それをハイサイドおよびローサイドMOSFETゲートドライブ信号に変換します。PWM入力は全てのコントローラと互換性があり、特にトライステートのPWM出力機能を持つコントローラ向けに設計されています。

このドライバICは、軽負荷の状態を自動的に検知する電気回路を有しており、スキップモード動作（SMOD）を自動的に実行し、軽負荷時の高い電力効率を実現します。また、アダプティブ・デッドタイム・コントロール機能により、効率性は更に向上します。また、UVLO保護機能、シュートスルー保護機能、およびジャンクション温度上昇の警告機能などの機能も備えています。

ドライバICとパワーMOSFETを同じパッケージに入れる事によりSiC762CDの電力損失は減少し、高周波の分離型パワーステージの実装に伴う寄生インピーダンス効果も軽減します。設計者は高周波スイッチングを選択することで、過度応答の向上、出力フィルタ・コンポーネントのコストを削減し、多層Vcoreアプリケーションにおいて最大の電力密度を実現することができます。

このデバイスはハロゲンフリーでIEC 61249-2-21に準拠しています。また、RoHS指令2002/95/ECに適合しています。

SiC762CDのサンプルおよび製品は、現在ご提供可能です。量産開始は2010年第1四半期を予定しており、納期は12～16週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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PowerPAKは、Siliconix incorporated の登録商標です。