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ビシェイ社、PowerPAK SO-8パッケージで業界最小のオン抵抗とFOM(性能指数)を実現した40Vおよび60VのNチャネルTrenchFET® パワーMOSFETを発表


SiR662DP SiR640DP mosfets

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2011年3月31日 - ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、ビシェイ・シリコニクスブランドの新しい40V(SiR662DP)および60V(SiR640DP)NチャネルTrenchFET®パワーMOSFETを発表しました。これらのデバイスは、同定格電圧では業界最小のオン抵抗およびFOM(MOSFETの重要な性能指数)をSO-8またはPowerPAK® SO-8パッケージで実現しています。

60Vの「SiR662DP」のオン抵抗は、10Vで2.7 mΩ、4.5Vで3.5 mΩで、FOMは10Vで172.8 mΩ-nC、4.5Vで105 mΩ-nCです。このデバイスは性能が最も近い競合MOSFETと比べ、オン抵抗は10Vで3.5%、4.5Vで27%、FOMは10Vで23%、4.5Vでは57%も低い値を実現しています。このように低い値により、デバイス全体の動作範囲にわたりスイッチング損失を低減することができます。

40Vの「SiR640DP」のオン抵抗は10Vで1.7 mΩ、4.5Vで2.2 mΩで、FOMは10Vで128 mΩ-nC、4.5Vで76 mΩ-nCです。このデバイスは性能が最も近い競合MOSFETと比べ、4.5V時でのオン抵抗は4%、FOMは15.5%も低い値を実現しています。

両デバイスは、最適化されたトレンチ密度と独自のゲート構造を持つ新しいシリコン技術で製造されています。オン抵抗が低く導通損失が低減されるため、特に重負荷時に消費電力を削減することができます。FOMも小さく、高周波・スイッチングアプリケーションで、軽負荷時やスタンバイモード時にスイッチング損失を低減することができます。このデバイスは高効率なため、設計者はシステムの電力密度の増加や、電力損失が低減されたよりグリーンなソリューションの提供が可能となります。

これらのデバイスは、DC/DCおよびAC/DCコンバータの二次側同期整流回路、DC/DCコンバータの一次側スイッチング回路、ポイントオブロードモジュール、モータードライブ、ブリッジインバータ、メカニカルリレーの代替アプリケーションに最適です。主な最終製品は、通信用電源、業務用自動ゲームシステム、無停電電源(UPS)、コンシューマーアプリケーションなどです。

このMOSFETは4.5V定格であり、他のロジック回路駆動に使われている5Vパワーレイルを使用して製品設計を行えるため、10V パワーレイル用のスペースを新たに確保する必要はありません。また4.5V定格により、低電圧・低コストの5V PWM ICを使用しながら、ゲートドライブ損失を大幅に低減することができます。

両デバイスは全数RgおよびUIS試験済です。IEC 61249-2-21に準拠しハロゲンフリーで、RoHS指令2002/95/ECに適合しています。

SiR662DPおよびSiR640DPのサンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は16週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFETおよびPowerPAKは、Siliconix incorporatedの登録商標です。

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