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Vishay Siliconix präsentiert JAN-qualifizierte 60-V- und 90 V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Anwendungen in der Luft-/Raumfahrt/Wehrtechnik

Bauteile spezifiziert für die militärische Applikation im dichten TO-205AD-Gehäuse bieten niedrige On-Widerstände und kurze Schaltzeiten


2N6660JANTX 2N6660JANTXV 2N6661JANTX 2N6661JANTXV mosfets
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 31. Oktober 2011 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert die ersten Typen einer neuen Familie JAN-qualifizierter N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die für die militärische Anwendung spezifiziert sind: den 60-V-Typ Vishay Siliconix 2N6660JANTX/JANTXV und den 90-V-Typ Vishay Siliconix 2N6661JANTX/JANTXV. Die für Anwendungen in der Luft-/Raumfahrt/Wehrtechnik vorgesehenen Bauteile im dichten TO-205AD- (TO-39) Gehäuse zeichnen sich durch niedrige On-Widerstände und kurze Schaltzeiten aus.

Die Produktionsstätte von Vishay Siliconix in Santa Clara, Calif., wurde vom DSCC für die Fertigung von MOSFETs mit Screening nach MIL-PRF-19500 neu qualifiziert. MIL-PRF-19500 ist ein Standard, der Leistungs-, Qualitäts- und Zuverlässigkeitsanforderungen an diskrete Bauelemente spezifiziert, die für militärische Anwendungen und ausfallkritische Anwendungen in der Luft-/Raumfahrt vorgesehen sind.

Die heute vorgestellten Leistungs-MOSFETs wurden für folgende Anwendungen optimiert: TTL/CMOS-Logikpegel-kompatible Schnittstellen; Treiber für Relais, Hubmagnete, Lampen, Hämmer, Displays, Speicher und Transistoren; batteriebetriebene Systeme; und Halbleiterrelais. Das dichte TO-205AD-Gehäuse der neuen MOSFETs widersteht den erhöhten Temperaturen, die bei militärischen Applikationen und bei Luft- und Raumfahrt -Anwendungen auftreten können.

Der 60-V-Typ 2N6660JANTX/JANTXV bietet einen geringen On-Widerstand von nur 1,3 Ω (typ.) bei 10 V Gate-Source-Spannung, eine niedrige Gate-Source-Schwellenspannung von nur 1,7 V und eine kurze Schaltzeit von nur 8 ns. Der 90-V-Typ 2N6661JANTX/JANTXV bietet einen geringen On-Widerstand von nur 3,6 Ω (typ.) bei 10 V Gate-Source-Spannung, eine niedrige Gate-Source-Schwellenspannung von nur 1,6 V und eine kurze Schaltzeit von nur 6 ns. Beide Typen zeichnen sich durch geringe Eingangs- und Ausgangsleckströme aus und haben geringe Eingangskanäle von nur 35 pF (typ.).

Die Leistungs-MOSFETs 2N6660JANTXV und 2N6661JANTXV werden vor dem Gehäuseeinbau einer 100%-igen Sichtkontrolle nach MIL-PRF-19500 unterzogen. Als High-Rel-Optionen bietet Vishay Tests nach Group A, Group B, Group C und Group E an, außerdem eine kostengünstigere -2-Flow-Option (Sichtkontrolle und Verarbeitung nach MIL-STD-750).

Die neuen, JAN-qualifizierten MOSFETs sind ab sofort als Muster und in Produktionsstückzahlen lieferbar. Die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 16 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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