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Vishay Siliconix推出通过JAN认证的可用于军工、航天和航空应用的60V和90V N沟道功率MOSFET

采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能


2N6660JANTX 2N6660JANTXV 2N6661JANTX 2N6661JANTXV mosfets
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月31 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款Vishay Siliconix军用级通过JAN认证的n沟道功率MOSFET,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara,已被DSCC重新认证,可采用MIL-PRF-19500标准对所生产的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中,MIL-PRF-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。

今天推出的器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口,继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动,以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。

2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1.3Ω,栅源阈值电压为1.7V,开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为3.6Ω,栅源阈值电压为1.6V,开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏,以及低至35pF的典型输入电容。

2N6660JANTX/JANTXV2N6661JANTX/JANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外,Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测,以进一步提高产品的可靠性。

通过JAN认证的MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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