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Vishay的SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍尔效应传感器荣获EDN China 2011创新奖


EDN China 2011 Innovation Awards

Products mentioned:

SiR870DP
34 THE
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 12 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍尔效应传感器荣获EDN China 2011创新奖。在12月1日上海举行的颁奖典礼上,SiR870DP荣获功率器件和模块类的最佳产品奖,34 THE被授予无源元件和传感器类的优秀产品奖。

EDN China创新奖于2005年推出,主要表彰在中国市场销售的芯片和相关产品在设计方面所取得的成就。今年,超过80家公司的140款产品参加了9个技术类别的角逐。EDN China的在线读者投票选出50款提名产品,由技术专家组和EDN的高级编辑从中选出了最终的获奖产品。

100V SiR870DP采用了Vishay的新型ThunderFET®技术,在4.5V下的导通电阻为7.8mΩ,在业内领先,而且在10V下具有非常低的6mΩ导通电阻。对于设计者,器件更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,让节能的绿色解决方案降低功耗。

SiR870DP在4.5V下的导通电阻与栅极电荷乘积低至208mΩ-nC,能够为更高频率和开关应用同时提供低传导损耗和低开关损耗,该指标是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM)。MOSFET能在4.5V下导通,在通信砖式电源和总线转换器应用的隔离DC/DC电源中就能采用各种各样的PWM和栅极驱动IC。

34 THE霍尔效应传感器是业内首款采用非接触技术的多匝传感器,适用于在恶劣环境中要求使用长寿命传感器的应用。10匝的34 THE采用的霍尔效应技术使其能在高达20G的高频振动和高达50G的冲击的条件下可靠工作。

这款真正上电即运行的位置传感器采用伺服安装时具有5千万次循环的超长寿命,采用套筒安装时的寿命为1千万次,比目前的绕线多匝传感器的寿命至少长10倍以上。34 THE的长寿命使其成为舰艇和越野车辆中方向盘伺服控制的理想选择。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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ThunderFET是Siliconix公司的注册商标。

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