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Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志的中国优秀电子产品奖


Siliconix TrenchFET® Power MOSFET

Products mentioned:

SiR662DP
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 12 月19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET®荣获行业媒体《电子技术应用》(AET)的中国优秀电子产品奖。

在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 60V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻,以及60V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)。对于设计者,更低的MOSFET导通电阻使得传导损耗更低,可减少功耗,尤其是在重负载条件下。低FOM减少了高频和开关应用中的开关损耗,特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度,或同时在更绿色的设计方案中实现更低的能源损耗。

在两个月的时间内,用户通过在www.ChinaAET.com投票的方式选出了中国优秀电子产品奖的获奖者。118款提名产品中有31款获奖,SiR662DP荣获分立元器件类的奖项。

《电子技术应用》创刊于1975年,内容覆盖中国的电子、通信、工业控制和计算机行业。这是该杂志第三年评选中国优秀电子产品奖。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。

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