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Mit dem neuen 200-Ampere-PowerPAK®-8x8L-Gehäuse für Automobil-Anwendungen bietet Vishay Intertechnology eine platz- und stromsparende Alternative zu D2PAK und DPAK

Weltweit erster AEC-Q101-qualifizierter, 100%ig bleifreier MOSFET mit einer Grundfläche von nur 8 mm x 8 mm


SQJQ402E

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Malvern, Pennsylvania (USA) – 31. März 2015 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert ein neues, 8 mm x 8 mm x 1,8 mm großes PowerPAK®-8x8L-Gehäuse als platz- und energiesparende Alternative zu den in Automobil-Anwendungen bisher üblichen Hochstrom-Gehäusebauformen D2PAK und DPAK. Der 40-V-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET SQJQ402E von Vishay Siliconix ist der weltweit erste AEC-Q101-qualifizierte MOSFET in diesem 8x8-mm-Gehäuse und zudem der erste MOSFET mit einer Grundfläche von 8 mm x 8 mm und Gull-Wing-Anschlüssen zur Verringerung mechanischer Spannungen.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C spezifizierte SQJQ402E bietet die für Automobil-Anwendungen wie Motorsteuerungen, elektrische Lenksysteme, Getriebesteuerungen und Einspritzpumpensteuerungen erforderliche Robustheit und Zuverlässigkeit. Das spezielle Design des PowerPAK-8x8L-Gehäuses minimiert die Serieninduktivität und ermöglicht einen maximalen On-Widerstand von nur 1,5 mΩ bei 10 V bzw. 1,8 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung. Außerdem erlaubt es kontinuierliche Drain-Ströme von bis zu 200 A. Der SQJQ402E ist das erste Modell einer umfangreichen Leistungs-MOSFET-Serie, die es Entwicklern ermöglicht, die Vorteile dieses Gehäuses in einer Vielzahl von Automobil-Anwendungen zu nutzen.

Der neue MOSFET besitzt außerdem Gull-Wing-Anschlüsse, die speziell zur Verringerung mechanischer Spannungen an den Leiterplattenlötstellen entwickelt wurden, wie sie aufgrund der großen Temperaturschwankungen in Automobil-Anwendungen unvermeidlich sind. Diese Anschlusstechnologie wurde bereits bei dem kleineren, 5 mm x 6 mm großen PowerPAK-SO-8L-Gehäuse von Vishay erfolgreich angewandt. Im Gegensatz zu D2PAK und DPAK ist das PowerPAK-8x8L-Gehäuse völlig bleifrei und übertrifft die aktuellen RoHS-Standards.

Der SQJQ402E bietet ähnliche On-Widerstände wie vergleichbare Bauteile im D2PAK-Gehäuse, hat dabei aber eine um 60% kleinere Grundfläche und eine um 60% geringere Bauhöhe; das spart sowohl Leiterplattenfläche als auch Kosten und ermöglicht kleinere und leichtere Module, insbesondere in den vielen Anwendungen, die mehrere MOSFETs erfordern. Im Vergleich zu MOSFETs im DPAK-Gehäuse bietet der SQJQ402E einen nur halb so großen On-Widerstand, die doppelte Strombelastbarkeit und eine um 21% geringere Bauhöhe – und das bei einer nur 12% größeren Grundfläche.

Muster des neuen SQJQ402E sind sofort lieferbar. Produktionsstückzahlen sind ab Q2 lieferbar; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt 13 bis 14 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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