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ビシェイ社、薄型IGBT / MOSFETを発表、 小型インバータの省スペース化を実現

高さ2.5 mm、高絶縁耐圧、モーター駆動、代替エネルギーなどの 高電圧アプリケーションに最適


MOSFET

Products mentioned:

VOL3120
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2015年5月28日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、同社のオプトエレクトロニクス製品ポートフォリオを拡大し、モーター駆動、代替エネルギー、溶接装置などの高電圧アプリケーション向けに、SMD薄型2.5 A IGBT / MOSFETドライバを発表しました。ビシェイ社のVOL3120は小面積、高さ2.5mmで、≥ 8 mmの空間距離と外部沿面距離を特長とします。このデバイスは小型だけでなく、VIORM = 1050 V とVIOTM = 8000 Vの高絶縁耐圧を提供し、高電圧アプリケーション、更には劣悪な環境下でも使用可能です。

VOL3120の高さは、標準DIPパッケージのドライバと比べて30 %低く、IHヒーターや、家庭用ソーラー・モーター駆動に利用する小型インバータなどで省スペース化を実現、薄型アプリケーションに最適です。VOL3120は優れた絶縁特性の他に、最先端の電気性能を提供します。また、低電圧ロックアウト機能によりIGBT / MOSFETを故障から保護し、48 kV/ s以上のコモンモード過渡電圧耐性により、PCB上の低電圧レベル回路から発生するノイズを除去します。

VOL3120の消費電力は2.5 mAと低く、高効率動作が求められる電力関連のアプリケーションに最適です。遅延時間は250 ns(標準)、立ち上がり/立下り時間は100 ns未満(標準)で、IGBT / MOSFETの高速スイッチングに最適です。

本日リリースされたドライバは、15 V ~ 32 Vの幅広い電圧範囲、-40 C ~ +100 Cの産業用途で必要な温度範囲で動作します。VOL3120は無限のフロアライフを特長とし、J-STD-020の吸湿レベル(MSL)1を満たします。RoHSに準拠、ビシェイ社の"グリーン"標準に適合するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は8~10週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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