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Neuer, 0,8 mm x 0,8 mm winziger 20 V Chipscale-MOSFET von Vishay Intertechnology spart in mobilen Anwendungen Platz und Strom

Der neue MICRO FOOT® MOSFET hat unter allen 20-V-MOSFETs mit quadratischer Grundfläche und 1 mm oder <0,7 mm Kantenlänge den kleinsten RDS(ON) und ist für Gate-Spannungen ab 1,2 V spezifiziert


Si8824EDB

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Malvern, Pennsylvania (USA) – 18. Juni 2015 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen TrenchFET®-20-V-n-Kanal-MOSFET im 0,8 mm x 0,8 mm winzigen Chipscale-MICRO-FOOT®-Gehäuse mit einer ultra-geringen Bauhöhe von nur 0,357 mm. Der Vishay Siliconix Si8824EDB wurde mit dem Ziel entwickelt, in Smartphones, Tablets, Wearables, SSDs und tragbaren medizinischen Geräten wie z. B. Hörhilfen Platz zu sparen, den Stromverbrauch zu verringern und die Batterielaufzeit zu verlängern. Der neue MOSFET bietet unter allen 20-V-Typen mit einer quadratischen Grundfläche und 1 mm oder <0,7 mm Kantenlänge den kleinsten On-Widerstand.

Der für den Einsatz als Lastschalter, Kleinsignalschalter und Hochgeschwindigkeitsschalter in Power-Management-Anwendungen optimierte Si8824EDB bietet einen extrem kleinen On-Widerstand von nur 75 mΩ bei 4,5 V, 82 mΩ bei 2,5 V, 90 mΩ bei 1,8 V, 125 mΩ bei 1,5 V und 175 mΩ bei 1,2 V Gate-Spannung. Diese Werte sind um bis zu 25% niedriger als beim nächstbesten 20-V-Wettbewerbsprodukt im gleichen CSP-Gehäuse und um bis zu 65% niedriger als beim nächstbesten 20-V-Wettbewerbsprodukt im 1 mm x 0,6 mm großen DFN-Gehäuse. Durch die hohe Sperrspannung (VDS) von 20 V, den integrierten ESD-Schutz und den ab 1,2 V Gate-Spannung spezifizierten On-Widerstand bietet der neue MOSFET in Anwendungen, die durch einen Lithium-Ion-Akku gespeist werden, eine einzigartige Kombination aus Sicherheitsreserve, Flexibilität bei der Dimensionierung der Gate-Treiberschaltung und hervorragender Performance.

Der Si8824EDB zeichnet sich durch einen extrem geringen spezifischen Flächenwiderstand von nur 40 mΩ-mm2 aus – das sind 28% weniger als beim nächstbesten 20-V-Wettbewerbsprodukt im 1 mm2 großen DFN-Gehäuse. Das spart Platz und reduziert den Stromverbrauch in mobilen Anwendungen. Der niedrige On-Widerstand geht mit einem entsprechend kleinen Spannungsabfall über dem Schalter einher, dadurch geht weniger Energie in Form von Wärme verloren. Der integrierte ESD-Schutz bis 2000 V schützt den MOSFET vor Beschädigung bei der Handhabung.

Der Si8824EDB ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 14 bis 16 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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TrenchFET und MICRO FOOT sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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