MENU
< Back  

For more information:
Media contact -  Bob Decker, Red Pines Group
Phone:  1.415.409.0233 
Fax:  1.650.618.1512 
E-mail:  bob.decker@redpinesgroup.com

Sales contact: 

新的Vishay 0.8mm x 0.8mm封装的20V芯片级MOSFET在移动应用里节省空间和功耗

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON),外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2,开启电压低至1.2V


Si8824EDB

Products mentioned:

Si8824EDB
For more information:
Media contact -  Bob Decker, Red Pines Group
Phone:  1.415.409.0233 
Fax:  1.650.618.1512 
E-mail:  bob.decker@redpinesgroup.com

Sales contact: 

This release in:

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 6 月18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT® 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET® 20V N沟道MOSFET。Vishay Siliconix Si8824EDB是20V MOSFET中导通电阻最低的器件,尺寸为1mm2或不到0.7mm2,在智能手机、平板电脑、可穿戴设备、固态驱动器,以及助听器等便携式医疗设备中能够节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。

Si8824EDB适用于电源管理应用里的负载开关、小信号开关和高速开关,具有极低的导通电阻,在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻分别为75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ,比采用相同CSP封装的最接近的20V MOSFET最多低25%,比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS为20V,具有ESD保护功能,能在1.2V下启动,加上低导通电阻,使这颗器件同时具有安全裕量大、栅极驱动设计更灵活、高性能的优点,可用于锂离子电池供电的应用。

Si8824EDB的导通电阻与面积乘积极低,只有40mΩ-mm2,比DFN 1mm2封装的最接近的20V MOSFET低28%,在移动应用里能够节省空间,并降低电池功耗。器件的低导通电阻意味着器件在直流或脉冲峰值电流下的电压降非常低,以热的形式浪费的电能更少。MOSFET集成了ESD保护功能,保护电压达2000V,能够避免在加工或与人体接触过程中发生静电破坏。

Si8824EDB现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

###

TrenchFET®和MICRO FOOT®是Siliconix incorporated的注册商标。

For more information:
Media contact -  Bob Decker, Red Pines Group
Phone:  1.415.409.0233 
Fax:  1.650.618.1512 
E-mail:  bob.decker@redpinesgroup.com

Sales contact: 

This release in:

  • lang-code-EN
  • lang-code-ZH
  • lang-code-JP
  • lang-code-DE