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VISHAY 新型红外发射器将高速性能与高达180MW/SR 的辐射功率实现了完美结合

这些器件瞄准新兴的汽车、消费类及工业应用


New Infrared Emitters

Products mentioned:

TSFF5210
TSFF5410
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宾夕法尼亚 MALVERN — 2004 年 8 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号: VSH) 宣布推出可提供出色辐射功率和强度的新系列高速红外发射器。

采用双异质芯片GaAlAs/GaAlAs技术构建的 Vishay Semiconductors 新型 IR 发射器与上一代器件相比,其辐射强度提高了 43%,从而扩展了汽车、消费类及工业环境中红外数据传输和挡光系统应用的范围与可靠性。

日前推出的这四款器件峰值波长均为 870 纳米,其典型正向电压仅为 1.5V,因而节省了电能。

对于具有高调制频率或高数据传输速率要求的自由空中数据传输系统——例如便携式摄像机与电视机之间的红外视频数据传输,Vishay 提供了两款采用 5 毫米圆形塑料 T-1¾ 封装的新型发射器。TSFF5410将 ±22°的半强度角与 70mW/sr 的辐射强度进行了完美结合,而 TSFF5210将 ±10°的半强度角与 180mW/sr 的辐射强度进行了完美结合。这两款器件均具有 23MHz 的高调制带宽和 15ns 的典型升降时间。

对于需要小型表面贴装器件的应用——例如高速 IR 数据传输与高性能传感器,Vishay 以微型 PLCC-2 SMD 封装提供了两款新器件。这两款器件均具有 60°的半强度角和 10mW/sr 的典型辐射强度,TSMF4710(调制带宽为 23MHz)的典型升降时间为 15ns,而 TSMF3710(调制带宽为 12MHz)的典型升降时间为 30ns。

目前,TSFF5410, TSFF5210, TSMF4710, 和TSMF3710的样品均可提供,其量产将于 2004 年第三季度进行。大宗定单的供货周期为 12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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