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Vishay 的第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列 入围 EDN 第 19 届年度创新奖


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宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 2 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列从数百种提名产品中脱颖而出,入围今年 EDN 功率半导体类别的创新奖。

创立于 1990 年的 EDN magazine 创新奖旨在奖励过去一年内对半导体行业发展起到重大推动作用的人员、产品及技术。二月份,EDN 的全球读者(电子工程师及工程经理)将在线投票,从入围名单中选出最终获奖者。EDN 的编辑人员及编辑顾问委员会也将参与评选最终获奖者。

功率 MOSFET 用于许多大量制造的电子产品中的负载切换及直流到直流转换,包括笔记本电脑、手机和 PDA。与第二代沟槽功率 MOSFET 相比,Vishay 的第三代器件每硅片面积导通电阻降低逾 35%,同时每硅片面积栅极电荷降低约 10%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导及切换损耗,从而减少了电子设备的能耗并延长电池的使用寿命。

TurboFET™ 技术为 TrenchFET 技术的一个子集,是采用新型漏极电荷平衡结构的第三代变种。对直流到直流转换器中的高端 MOSFET 而言,更低的栅极电荷意味着更有效的切换,从而有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的其他系统的功率。它还可让设计人员选择以更高的频率工作,从而能够使用更小的无源元件。

TurboFET 高端 MOSFET 与第三代低端 MOSFET 整合可提供出色的配对,从而可提高从 12 V 转换至 3.3 V 及更低的大电流直流到直流应用的效率。

有关 Vishay 第三代功率 MOSFET 完整产品系列的详情,请登录http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/(对于 TrenchFET 器件)及 http://www.vishay.com/mosfets/turbofet/(对于 TurboFET 器件)。

EDN 鼓励读者登录www.edn.com/innovation19 ,审查创新奖的各项提名产品。获奖者名单将于 2009 年 3 月 30 日在加州圣何塞举行的晚宴和颁奖典礼上公布。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET 是 Siliconix incorporated 的注册商标。TurboFET 是 Siliconix incorporated 的商标。

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