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ビシェイ社のSiR440DP TrenchFET® Gen III (第3世代) パワーMOSFET、 Electronic Products China 誌のProduct of the Year賞を受賞

20-V Nチャネルデバイスで、業界最小の最大オン抵抗値を実現 (4.5Vで2.0mmΩ、10Vで1.55mmΩ)


SiR440DP

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ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、 日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、 20VのNチャネル Gen III(第3世代)TrenchFET®パワーMOSFET「SiR440DP」が、 Electronic Products China誌の「2008年度Product of the Year賞」を受賞したことを発表しました。

この賞は、2008年に発表された数百におよぶ製品に関し、設計の革新性、 技術またはアプリケーションの著しい進歩、価格および性能面での優れた実績を基に、 Electronic Products China誌の記者が評価を行ったものです。ビシェイのSiR440DPは、 パワーMOSFET分野における成功実績が評価され選ばれました。

Electrnoic Products China 誌の2008年度Product of the Year賞は、それぞれの受賞製品の紹介とともに、 2009年2月号の紙面にて発表されました。また、ウェブサイトでも全受賞製品がご覧いただけます。http://www.21ic.com/awards2009.htm

ビシェイのSiR440DPは、PowerPAK® SO-8パッケージで20Vの定格電圧を持つデバイスとしては、 DC/DCコンバータ用MOSFETの重要な性能指数(FOM)であるオン抵抗とゲート電荷の積は、業界最小を実現しています。 このパワーMOSFETの最大オン抵抗値は、ゲートドライブ電圧4.5Vで2.0mΩ、同じく10Vでは1.55mΩです。 また、オン抵抗とゲート電荷の積は、ゲート電圧4.5Vのとき87nCです。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFETおよびPowerPAKはシリコニクス社(Siliconix incorporated)の登録商標です。

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