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Vishay的第三代TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的年度产品奖

20-V N通道器件在4.5V和10V栅源电压时具有业内最佳的2mΩ和1.55mΩ的导通电阻


SiR440DP

Products mentioned:

SiR440DP
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 3 月 25 日 — 日前, Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的第三代20V N通道 TrenchFET® 功率MOSFET SiR440DP 荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。

《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步,以及性价比显著提高三个方面, 从2008年发布的数百款产品当中精挑细选出年度产品。Vishay的SiR440DP因其优异的性能而被选为功率MOSFET类的获奖产品。

《今日电子》的2008年度产品奖公布在2009年2月期上,每个产品均配有简介。完整的获奖产品名单公布在 http://www.21ic.com/awards2009.htm

在同档电压等级、采用PowerPAK® SO-8封装的同类产品中,Vishay的SiR440DP 具有业内最低的导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET 的关键优值(FOM)。该MOSFET在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0 mΩ, 在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55 mΩ,导通电阻与栅极电荷乘积在4.5V时为87。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注册商标

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