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Vishay Siliconix的第三代TrenchFET®功率MOSFET获得EN-Genius颁发的年度产品奖


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宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 4 月 1 日 — 日前, Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, 该公司的第三代TrenchFET®功率MOSFET系列获得了EN-Genius Network颁发(www.en-genius.net)的年度产品奖。 EN-Genius Network是为电子设计工程师提供信息来源的领先服务商。

EN-Genius授予首次采用TurboFET™技术的第三代TrenchFET器件“功率器件最佳改进”奖, 这些器件采用了新的电荷平衡链结构,可帮助笔记本电脑、服务器和其他系统更有效地利用能源或电路板空间。

“第三代器件显著减小了门电荷,使很多现有设计可以采用更高的开关频率, 在保持效率的同时减少电路中无源器件的花费, 或者在这些设计中继续使用现有开关频率的条件下提高效率。”EN-Genius表示。

EN-Genius 2008年度产品奖是由EN-Genius的主编Paul McGoldrick、 编辑Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从2008年发布的产品当中选出的。

Vishay的TurboFET™技术使器件具有了业界领先的低导通电阻, 也就意味着低传导损耗和低门电荷。对于DC-DC转换器中的MOSFET,低门电荷意味着更高的开关效率, 有助于减少笔记本电脑、电压调节模块(VRM)、服务器和其他使用负载点(POL)功率转换的系统的功耗。 这项技术也使设计师能够选用更高的开关频率,从而可以使用更小尺寸的无源器件。

TurboFET产品数据表链接:

SiS426DN
SiR496DP
Si7718DN
Si7784DP

采用TurboFET技术的第三代TrenchFET功率MOSFET可提供样片,并已实现量产,大宗订货的供货周期为10至12周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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