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ビシェイ社、密度が1平方インチ当たり10億セルの新しいPチャネルTrench FET® Gen III パワーMOSFETを発表PowerPAK® SC-75パッケージで業界最小のオン抵抗を実現

画期的なTrenchFET Gen IIIファミリの最新デバイスにより、パッケージオプションが、PowerPAK SO-8から1.6 mm x 1.6 mmの超小型サイズまで拡張


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2009年9月10日発 - ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都台東区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、1.6mm x 1.6mmサイズのPチャネルデバイスで業界最小のオン抵抗を実現した、ビシェイ・シリコニクスブランドの新しい20V PチャネルパワーMOSFET「SiB457EDK」を発表しました。SiB457EDKはTrenchFET Gen III Pチャネル技術による最新デバイスで、シリコンの1平方インチ(6.4516 cm2)当たり10億個のトランジスタ・セルを集積する、「セルフ・アライニングプロセス」技法を使用しています。この最先端技術は、PチャネルMOSFETにおける業界最小のオン抵抗をほぼ2分の1に削減する、超微細なサブマイクロンピッチ プロセスを可能にします。

今回の新デバイスの発表により、TrenchFET Gen III Pチャネル パワーMOSFETは、放熱パッケージであるPowerPAK® SO-8(SO-8サイズで業界最小のオン抵抗(1.9mΩ)を提供)を含む、4種類の表面実装型パッケージがご提供可能となりました。現在このファミリ最小のデバイスであるPowerPAK SC-75パッケージのSiB457EDKは、1.6 mm x 1.6 mm サイズにおける業界最小のオン抵抗が特長です。そのオン抵抗(rDS(on))値範囲は、35 mΩ (@4.5V)~130 mΩ (@1.5V)であり、同じ定格電圧でこのデバイスの性能に最も近い市販のPチャネルデバイスと比較し、4.5Vおよび2.5Vでは42%、1.8Vでは46%も低いオン抵抗を実現しています。

TrenchFET Gen III PチャネルMOSFETは、ノートパソコン、産業・一般用システム等の用途でアダプタスイッチや負荷のスイッチングに利用されるほか、充電回路や、携帯電話、スマートフォン、PDA、MP3プレーヤ等の携帯用機器における負荷のスイッチングとして利用されます。非常に画期的な"10億セル/平方インチ"技術により提供される低いオン抵抗は、結果として導通損失を低減させるため、省電力化や電池動作時間の長時間化に有効です。 TrenchFET Gen III Pチャネルデバイスの仕様表

Device Package VDS (V) VGS (V) RDS(on) (mΩ) at VGS =
10 V 4.5 V 2.5 V 1.8 V 1.5 V
SiB457EDK PowerPAK SC-75 - 20 8   35 49 72 130
SiA921EDJ PowerPAK SC-70 - 20 12   59 98    
Si7615DN PowerPAK 1212-8 - 20 12 3.9 5.5 9.8    
Si7137DP PowerPAK SO-8 - 20 12 1.9 2.5 3.9    
Si7145DP PowerPAK SO-8 - 30 20 2.6 3.75      

ビシェイ・シリコニクスブランドでは、トレンチ構造のパワーMOSFETを初めて製品化しており、そのTrenchFET関連の知的所有権には1980年代初めの基本技術特許を始めとする数多くの特許が含まれています。このTrenchFET技術が次々と新しい世代に移行するたび、コンピュータ、通信機器、民生用電子機器、その他多くの用途に使われるパワーMOSFETの性能基準が大きく向上しています。

SiB457EDKは、より小さな入力電圧による設計をより広い安全マージンで実装することを可能にする1.5V定格を含む、4つのゲート・ソース間電圧でオン抵抗を規定しています。それと同時に、小型のPowerPAK SC-75パッケージにより電源回路で必要とされるスペースが削減されるため、他の製品機能の搭載や製品の小型化が可能です。また、VGS = 8 Vでわずか5 μAの低リーク電流でありながら、標準2500VのESD保護機能を備えているため、現場での故障を減少することができます。

このPチャネル TrenchFET Gen IIIパワーMOSFETファミリは、IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリーで、RoHS指令2002/95/ECに適合し、Rgは100%試験されています。詳細につきましては、以下のウェブサイトをご参照ください。http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/

SiB457EDK TrenchFETパワーMOSFETのサンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の納期は10~12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、トランジスタ、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつ。 同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、パワーサプライ、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。 ビシェイの革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現は業界のグローバルリーダーとしての地位を確固たるものにしている。 ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFET およびPowerPAKは、シリコニクス社の登録商標です。

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