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12-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix mit extrem kleiner Grundfläche von nur 1,6 mm x 1,6 mm stellt neue Rekorde für den On-Widerstand auf – von 27 mΩ bei 4,5 V bis 130 mΩ bei 1,5 V


SiB455EDK trenchfet

Products mentioned:

SiB455EDK
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 21. Dezember 2009 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 12-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem niedrigsten On-Widerstand, der jemals bei einem p-Kanal-Typ im thermisch optimierten, nur 1,6 mm x 1,6 mm großen PowerPAK®- SC-75-Gehäuse erzielt wurde.

Der neueSiB455EDKist das neueste Produkt auf der Basis der TrenchFET-Gen-III- p-Kanal-Technologie. Diese ermöglicht es mithilfe selbstjustierender Prozesse auf einem Quadratzoll Siliziumfläche nicht weniger als eine Milliarde Transistorzellen unterzubringen. Diese führende Technologie, mit der sich äußerst feine Sub-Micron-Strukturen erzeugen lassen, verringert den On-Widerstand von p-Kanal-MOSFETs um die Hälfte, verglichen mit den besten herkömmlichen Typen.

DerSiB455EDKbietet einen äußerst geringen On-Widerstand von nur 27 mΩ bei 4,5 V V Gate-Spannung, 39 mΩ bei 2,5 V, 69 mΩ bei 1,8 V, und 130 mΩ bei 1,5 V. Diese Werte sind bei 4,5 V, um 55 % niedriger, bei 2,5 V, um 52 % niedriger und bei 1,8 V um 39 % niedriger als beim nächstbesten p-Kanal-Leistungs-MOSFET am Markt.

DerSiB455EDKeignet sich zur Verwendung als Last-, PA- oder Batterieschalter in mobilen Geräten wie Handys, Smart Phones, PDAs und MP3-Playern. Der niedrige On-Widerstand führt zu geringeren Durchlassverlusten, geringerem Energieverbrauch und längerer Akkulaufzeit. Das kompakte PowerPAK- SC-75-Gehäuse spart Platz und ermöglicht dadurch, die Abmessungen des Endprodukts zu verkleinern oder bei gleichbleibenden Abmessungen zusätzliche Funktionen zu implementieren.

Der SiB455EDK ist außerdem der einzige 12-V-MOSFET, der für eine maximale Gate-Source-Spannung von 10 V spezifiziert ist und für den der On-Widerstand bis zu 1,5 V spezifiziert ist. Das Bauteil eignet sich dadurch auch für Anwendungen mit stark schwankender Gate-Steuerspannung – beispielsweise infolge von Spannungsspitzen, Störimpulsen, Rauschen oder Überspannungen – und es erhöht die Design-Zuverlässigkeit bei kleineren Eingangsspannungen.

Der SiB455EDK ist gegen elektrostatische Entladungen bis 1500 V (typ.) geschützt; das verringert das Risiko von Ausfällen im Feld. Der MOSFET ist halogenfrei nach IEC 61249-2-21 und erfüllt die Anforderungen der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC.

Muster des neuen TrenchFET-Leistungs-MOSFETsSiB455EDKsind ab sofort verfügbar. Produktionsstückzahlen sind ab Q1/2010 lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 14 bis 16 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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