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从4.5V下的27m到1.5V下的130mΩ,Vishay Siliconix的12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET在超小的1.6mm x 1.6mm占位面积内提供了业内最低的导通电阻


SiB455EDK trenchfet

Products mentioned:

SiB455EDK
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 12 月 21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装,占位面积为1.6mm x 1.6mm,具有业内P沟道器件最低的导通电阻。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品,使用了自对准工艺技术,在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺,将业内最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了一半。

SiB455EDK具有超低的导通电阻,在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的导通电阻分别为27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ,比前一代领先的12V P沟道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的导通电阻分别低55%、52%和39%。

该MOSFET可用做手机、智能手机、PDA和MP3播放器等手持设备中的负载、功放和电池开关。SiB455EDK的低导通电阻意味着更低的导通损耗,小尺寸的PowerPAK SC-75封装能够将节省下来的空间用于实现其他功能,或是让终端产品变得更加小巧。

新器件也是仅有的同时具有10V栅源电压和可在1.5V电压下导通的12V MOSFET,因此该器件可用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压引起栅极驱动电压波动的应用中,同时也为更小的输入电压提供更安全的设计。

为减少由ESD引起的现场故障,器件的典型ESD保护电压高达1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiB455EDKTrenchFET 功率MOSFET现可提供样品,将在2010年第一季度实现量产,大宗订货的供货周期为14周到16周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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