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Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造,具有低VCE(ON) 和Eoff,可用于大电流逆变级


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宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块。VS-GP100TS60SFPBFVS-GP250SA60SVS-GP300TD60SVS-GP400TD60S采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造,集电极到发射极的电压极低,只有1.10V,关断开关能量低至11mJ,可用于输出逆变级。

今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构,实现了比平面IGBT更小的尺寸,具有更高的电流密度和更低的热阻(结到外壳),在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低,能够实现极低的传导损耗,同时其关断开关能量比前一代器件低50%,可提高效率和长期可靠性。

半桥VS-GP100TS60SFPBFVS-GP300TD60SVS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起,采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装,典型杂散电感非常低,还不到5nH,通过UL file E78996的认证。

这些模块符合RoHS,工作频率为1kHz,集电极到发射极电压为600V,集电极连续电流为100A~400A。器件可以直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。

器件规格表:

产品编号 VS-GP100TS60SFPbF VS-GP250SA60S VS-GP300TD60S VS-GP400TD60S
IC 100 A 250 A 300 A 400 A
VCE(ON) 1.16 V 1.10 V 1.30 V 1.30 V
封装 INT-A-PACK SOT-227 DIAP, low profile DIAP, low profile
Eoff 15.3 mJ 11 mJ 33 mJ 45 mJ
电路 半桥 单开关管 半桥 半桥
IGBT Trench PT Trench PT Trench PT Trench PT
二极管 FRED Pt None HEXFRED HEXFRED

新IGBT功率模块现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.™ 。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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