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Vishay Intertechnology präsentiert die weltweit ersten AEC-Q101-qualifizierten Dual-12-V- und 20-V-MOSFETs in einem asymmetrischen Gehäuse für Synchron-Abwärtsregler-Anwendungen


SQJ200EP SQJ202EP MOSFETs

Products mentioned:

SQJ200EP
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MALVERN, Pa. – 22. Juni 2016 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert die weltweit ersten AEC-Q101-qualifizierten Dual-12-V- und Dual-20-V-MOSFETs in einem asymmetrischen Gehäuse. Die neuen Dual-MOSFETs sparen Platz und Strom in energieeffizienten Synchron-Abwärtsreglern für Automobil-Anwendungen. Die neuen n-Kanal-TrenchFET®-MOSFETs SQJ202EP und SQJ200EP von Vishay Siliconix vereinen in einem nur 5 mm x 6 mm großen, asymmetrischen PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse jeweils einen High-side- und einen Low-side-MOSFET, letzterer mit einem sehr kleinen On-Widerstand ab 3,3 mW.

Durch die Kombination zweier MOSFETs – eines größeren Low-side-MOSFETs für kleineren On-Widerstand und eines kleineren High-side-MOSFETs für kürzere Schaltzeiten – in einem asymmetrischen Gehäuse bieten der SQJ202EP (12 V) und SQJ200EP (20 V) hochleistungsfähige Alternativen zu Standard-Dual-MOSFETs mit einer für Synchron-Hochstrom/Hochfrequenz-Abwärtsregler-Anwendungen suboptimalen Kombination aus zwei identischen MOSFETs. Im Vergleich zu zwei diskreten MOSFETs beanspruchen diese Dual-Typen weniger Leiterplattenfläche und ermöglichen dadurch kompaktere Leiterplattenlayouts.

Die neuen Dual-MOSFETs sind für hohe Betriebstemperaturen bis +175°C spezifiziert und bieten dadurch die für Automobil-Anwendungen wie Infotainment, Telematik, Navigation und LED-Beleuchtung obligatorische Robustheit und Zuverlässigkeit. Der SQJ202EP eignet sich ideal für Anwendungen mit 8 V Busspannung und bietet im Kanal 2 (Low-side-MOSFET) einen extrem kleinen maximalen On-Widerstand ab 3,3 mW. Der für Anwendungen mit höheren Busspannungen vorgesehene 20-V-Typ SQJ200EP bietet einen nur geringfügig höheren maximalen On-Widerstand von 3,7 mΩ. Beide Typen werden 100%-ig auf Gate-Widerstand und Avalanche-Resistenz getestet und sind RoHS-konform sowie halogenfrei.

Die wichtigsten Spezifikationen:

Teilenummer SQJ202EP SQJ200EP
Kanal 1 2 1 2
VDS (V) 12 20
RDS(ON) (Ω)
Max.
@ VGS = 10 V 0,0065 0,0033 0,0088 0,0037
@ VGS = 4,5 V 0,0093 0,0045 0,0124 0,0050
Qg (nC) Typ. @ VGS = 10 V 14,5 35,9 12 29
ID(A) 20 60 20 60

Die neuen Dual-MOSFETs SQJ200EP und SQJ202EP sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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