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ビシェイ社、同期バック用途向けに、業界初のAEC-Q101準拠、 12 V ・20 V MOSFETをデュアル非対称型パッケージで発表


SQJ200EP SQJ202EP MOSFETs

Products mentioned:

SQJ200EP
SQJ202EP
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2016年6月27日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、車載向けの 高効率同期型バックコンバータ用途でのスペースと電力の節約を目的とする、業界初のAEC-Q101準拠、12 V 、20 V MOSFETをデュアル非対称型パワーパッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSQJ202EPSQJ200EPは NチャネルTrenchFET®製品で小型5 mm x 6 mm PowerPAK® SO-8Lデュアル非対称型パッケージにローサイドとハイサイドMOSFETを搭載しています。ローサイドのオン抵抗は3.3 mΩと低いのが特徴です。

非対称型パッケージに2個のMOSFET(大きいサイズのローサイドMOSFETは低オン抵抗、小さいサイズのハイサイドMOSFETは高速スイッチング用)を搭載することで、高電流高周波の同期型バック設計に最適なMOSFETです。SQJ202EPは12 V、SQJ200EPは 20 Vの製品で、従来のデュアル型デバイスよりも高性能を実現します。ディスクリートソリューションと比べても、省スペース化によりPCBレイアウトの縮小が可能です。

本日リリースされたデバイスは最大+175 ℃の高温動作を保証し、インフォテインメント、テレマティックス、ナビゲーション、LED照明等の車載用途で高信頼性を提供します。SQJ202EPはバス電圧が8 V以下の用途に最適で、チャネル2のローサイドMOSFETは3.3 mの極めて低いオン抵抗を提供します。20 V SQJ200EPはこれより高いバス電圧の用途向けに最適で、オン抵抗は3.7 mΩと若干高めです。全数ゲート抵抗、アバランシェ試験済み、RoHS準拠のハロゲンフリー品です。

デバイス仕様表

部品番号 SQJ202EP SQJ200EP
チャネル 1 2 1 2
VDS (V) 12 20
RDS(ON) (Ω)
Max.
@ VGS = 10 V 0.0065 0.0033 0.0088 0.0037
@ VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045 0.0124 0.0050
Qg (nC) Typ. @ VGS = 10 V 14.5 35.9 12 29
ID(A) 20 60 20 60

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFETとPowerPAKは、ビシェイSiliconixの登録商標です。

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