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Vishay发布用于同步降压应用的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET


SQJ200EP SQJ202EP MOSFETs

Products mentioned:

SQJ200EP
SQJ202EP
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 6 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V和20V MOSFET,可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EPSQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里,低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里,尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低,较小的高边MOSFET开关速度更快,可替换性能较低的标准双片器件,而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。相比于使用分立器件,这两颗器件占用的电路板空间更少,能实现更小尺寸的PCB设计。

今天发布的器件可在+175℃高温下工作,能够满足信息娱乐系统、车载信息服务、导航和LED照明等汽车应用对耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很适合总线电压 8V的应用,通道2的低边MOSFET的最大导通电阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP适合电压较高的应用,最大导通电阻为3.7mΩ,稍高一些。两颗器件都进行了100%的栅极电阻和雪崩测试,符合RoHS,无卤素。

器件规格表:

产品编号 SQJ202EP SQJ200EP
通道 1 2 1 2
VDS (V) 12 20
RDS(ON) (Ω)
Max.
@ VGS = 10 V 0.0065 0.0033 0.0088 0.0037
@ VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045 0.0124 0.0050
Qg (nC) Typ. @ VGS = 10 V 14.5 35.9 12 29
ID(A) 20 60 20 60

SQJ200EP和SQJ202EP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.™ 。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix incorporated的注册商标。

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