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Neue 600-V- und 650-V-MOSFETs der E-Serie von Vishay Intertechnology im PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse erhöhen die Zuverlässigkeit und haben eine kleinere Gehäuseinduktivität

Platzsparende Alternative zu MOSFETs im TO-252- (DPAK)-Gehäuse für Beleuchtungs-, Computer- und Consumer-Anwendungen


SiHJ8N60E SiHJ6N65E SiHJ7N65E SiHJ8N06

Products mentioned:

SiHJ8N60E
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 8. Juli 2016 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat sein Angebot an 600-V- und 650-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie um drei neue n-Kanal-Typen im kompakten PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse erweitert. Die neuen 600-V-Typen Vishay Siliconix SiHJ8N60E und die 650-V-Typen SiHJ6N65E und SiHJ7N65E sind platzsparende Alternativen zu MOSFETs im TO-252- (DPAK) Gehäuse. Sie haben eine kleinere Gehäuseinduktivität und erhöhen die Zuverlässigkeit in Beleuchtungs-, Industrie-, Telekom-, Computer- und Consumer-Anwendungen.

Das von Vishay Siliconix entwickelte SMD-Gehäuse PowerPAK SO-8L der neuen MOSFETs ist RoHS-konform, halogenfrei und bleifrei. Die nur 5 mm x 6 mm großen MOSFETs SiHJ8N60E, SiHJ6N65E und SiHJ7N65E benötigen im Vergleich zu Typen im TO-252- (DPAK) Gehäuse nur die Hälfte der Leiterplattenfläche. Im Vergleich zu MOSFETs im Leadless-DFN-Gehäuse kann das PowerPAK-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen die Zuverlässigkeit von Baugruppen erhöhen, die während ihrer Lebensdauer starken Temperaturschwankungen ausgesetzt sind.

Die auf der neuesten, energieeffizienten E-Serie-Superjunction-Technologie von Vishay basierenden MOSFETs SiHJ8N60E, SiHJ6N65E und SiHJ7N65E bieten sehr kleine On-Widerstände ab 0,52 Ω bei 10 V, eine ultra-geringe Gate-Ladung ab 17 nC und ein kleines Gate-Ladung-mal-On-Widerstand-Produkt. Bei MOSFETs, die in Schaltstromversorgungen eingesetzt werden, ist die letztgenannte Größe eine sehr wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit). Die genannten Werte führen zu extrem kleinen Durchlass- und Schaltverlusten. Das spart Energie in Leistungsfaktorkorrekturschaltungen, Sperrwandlern, 2-Schalter-Eintakt-Flusswandlern und hart-schaltenden Topologien für HID- und LED-Beleuchtungen sowie Stromversorgungen für industrielle, Telekom-, Consumer- und Computer-Anwendungen.

Die neuen MOSFETs widerstehen im Avalanche- und Kommutierungsmodus hohen Pulsenergien; die zulässigen Grenzwerte sind spezifiziert, und die Bauteile werden diesbezüglich 100%-ig UIS-getestet.

Die wichtigsten Spezifikationen:

Teilenummer VDS (V) VGS (V) ID (A) @
25 °C
RDS(ON) (Ω) @
10 V (max.)
Qg (nC) @ 10 V
(typ.)
SiHJ8N60E 600 ± 30 8,0 0,520 22
SiHJ6N65E 650 ± 30 5,6 0,868 16
SiHJ7N65E 650 ± 30 7,9 0,598 22

Die neuen MOSFETs SiHJ8N60E, SiHJ6N65E und SiHJ7N65E MOSFETs sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 16 Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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PowerPAK ist eine eingetragene Marke der Firma Siliconix Incorporated.

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