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ビシェイ社、第4世代600V EシリーズパワーMOSFETを発表 導通損失およびスイッチング損失を低減、高効率を提供

スーパージャンクションテクノロジー採用のデバイス、業界最小のRDS(ON)*Qg FOMを提供 テレコム、産業、企業用電力システムの電源回路に最適


SIPH

Products mentioned:

SiHP065N60E
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2017年1月30日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、第4世代デバイスの最初の製品600V Eシリーズ パワーMOSFETを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのNチャネルSiHP065N60Eはテレコム、産業、企業の電力システムの電源用途向けに高効率を提供し、前世代の600V Eシリーズ MOSFETと比べてオン抵抗を30%削減し、44%低いゲート電荷を提供します。これにより、業界最小のオン抵抗とゲート電荷の積(電力変換アプリケーションでの600 V MOSFETの重要な性能指数のFOM)を実現します。

ビシェイ社、市場開発担当シニアディレクター、David Grey氏のコメント: 「ビシェイ社は、最新の電子システムが必要とする、高電圧入力から低電圧出力までのすべての電力変換ステージに対応する幅広いMOSFET製品をお客様に提供します。ビシェイ社のSiHP065N60Eおよび近々発表予定の第4世代600V Eシリーズファミリーは、電力システム設計の一次側(PFCおよび高電圧DC/DCコンバーターブロック)において重要となる効率性と電力密度の向上に貢献します。」

ビシェイ社独自のエネルギー効率の高い最新のEシリーズ スーパージャンクションテクノロジーで設計されたSiHP065N60Eは、10 Vで0.065 の低オン抵抗、49 nCの超低ゲート電荷、2.8 *nC のFOMは同じクラスの競合製品と比べて25 %低いのが特長です。

SiHP065N60Eの有効出力容量Co(er) とCo(tr) はそれぞれ93 pf と593 pFと低く、スイッチング性能を向上します。導通損失およびスイッチング損失を低減することができ、通信、産業、企業用電力システム用途のPFC回路、ハードスイッチDC/DCコンバータートポロジーで効率を向上します。

新デバイスは、アバランシェモードで過渡過電圧に耐えるよう設計されており、全数UIS検査により限界値が保証されています。TO-220ABパッケージで提供され、RoHS準拠のハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産は2017年1月開始で標準納期は10週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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