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ビシェイ社、25 V NチャネルパワーMOSFETを発表業界最小のオン抵抗を提供、効率と電力密度を向

10 Vで0.58 mΩの最小オン抵抗、61 nCの低いゲート電荷を小型PowerPAK® SO-8シングルパッケージで提供


SiRA20DP

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2017年11月27日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、10 Vで0.58 mの業界最小オン抵抗を特長とする25 VのNチャネルTrenchFET® パワーMOSFETを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiRA20DPは幅広い用途向けに効率と電力密度を向上、オン抵抗が0.6 m以下のデバイスとしては、オン抵抗とゲート電荷の積(電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM)が業界最小です。

本日リリースされたデバイスは、6 mm x 5 mm PowerPAK® SO-8パッケージで提供されます。世界に2つしかない最大オン抵抗が0.6 m以下の25 V MOSFETのひとつです。SiRA20DPは61 nCの標準ゲート電荷、0.035 *nCのFOMと32%低い値を提供します。もう一つの25 V NチャネルMOSFETは、オン抵抗が11 %以上高くなっています。

SiRA20DPの低オン抵抗は、伝導損失を最小限に抑えることでシステム効率と電力密度を向上し、冗長電源設計用のORリング機能に最適です。低FOMのこの製品はテレコムやサーバー電源のDC/DC 変換、バッテリーシステムのバッテリースイッチイング、5 V ~ 12 V入力レールの負荷スイッチングの用途で性能を向上します。

MOSFETデバイスは、全数RgおよびUIS試験済、RoHS準拠のハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は15週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFET とPowerPAKは、Siliconix incorporatedの登録商標です。

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