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Neuester 600-V-MOSFET der E-Serie von Vishay Intertechnology stellt mit einem RDS(ON)*Qg-Produkt (FOM) von nur 3,1 Ω*nC einen neuen Branchenrekord auf

Der neue Superjunction-MOSFET verringert die Durchlass- und Schaltverluste und steigert die Effizienz in Telekommunikations-und Industrieanwendungen


Products mentioned:

SiHH068N60E
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Malvern, Pennsylvania (USA) 28. Januar 2019 Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das neueste Bauteil der vierten Generation von 600-V-E-Serie-Leistungs-MOSFETs. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH068N60E von Vishay Siliconix hat einen um 27% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung als die 600-V-E-Serie-MOSFETs der vorherigen Generation und eignet sich durch seine hohe Effizienz bestens für Stromversorgungsanwendungen bei Telekommunikation- und Industrieanwendungen. Der neue MOSFET bietet unter allen vergleichbaren Produkten am Markt die geringste Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine besondere Leistungszahl (FOM, figure of merit) für 600-V-MOSFETs bei Leistungumwandlungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, die den gesamten Stromumwandlungsprozess abdecken – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme. Der SiHH068N60E und noch kommende Bauteile der vierten Generation der 600-V-E-Serie-MOSFETs ist Vishays Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte. In den ersten Stadien der Architektur des Energiesystems – Leistungsfaktorkorrektur und hart geschaltete DC/DC-Wandlertopologien – widmet sich das Unternehmen der Notwendigkeit, Effizienz und Leistungsdichte zu verbesern. 

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH068N60E hat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,059 W bei 10 V Gate-Spannung und eine sehr geringe Gate-Ladung von nur 53 nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit), von nur 3,1 W*nC ist damit um 12% niedriger als der nächstgelegene konkurrierende MOSFET in derselben Klasse. Auch die sehr geringen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von nur 94 pF bzw. 591 pF tragen zu dem hervorragenden Schaltverhalten des SiHH068N60E bei. Diese exzellenten Werte führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten und spart somit Energie.

Der neue MOSFET im PowerPAK®-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%-ig UIS-getestet.

Der SiHH068N60E ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar. 

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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