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ビシェイ社、60 V TrenchFET® MOSFETを発表

1.7 mΩの低オン抵抗、電力損失を軽減し効率性を向上

52 nCのゲート電荷、68 nC出力電荷は業界最小、 PowerPAK® SO-8シングルパッケージで提供  


Products mentioned:

SiR626DP
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2019年2月22日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、60 V のNチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8シングル パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドの SiR626DPは電力変換トポロジーの効率性を向上するよう設計されており、前世代のデバイスと比べてオン抵抗が36 %減、またこのクラスでのゲート電荷と出力電荷の積は業界最小です。

本日リリースされたデバイスは10 Vで1.7 mΩの低いオン抵抗、52 nCの極めて低いゲート電荷、68 nCの出力電荷、992 pFのCOSSを提供します。オン抵抗とゲート電荷の積、並びに出力電荷とオン抵抗の積(電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM)は前世代のデバイスと比べてそれぞれ32 % 、45低くなっています。またCOSSも69 %低いのが特長です。

SiR626DPの向上された仕様は、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えるよう微調整されています。効率性を向上し、遮断されたAC/DCトポロジーの同期整流、ソーラー・マイクロインバータ、テレコム、サーバー、医療装置用電源のDC/DCトポロジーの一次・二次スイッチング、パワーツールや産業機器のモーター駆動制御、バッテリー管理モジュールのバッテリースイッチング等の用途に最適です。

MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は30週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TrenchFET とPowerPAKは、ビシェイSiliconix社の登録商標です。

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