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Vishay推出1.7 mΩ导通电阻、低功耗、高效60 V TrenchFET® MOSFET

器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平


Products mentioned:

SiR626DP
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宾夕法尼亚、MALVERN2019218—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mΩ,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

SiR626DP改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周,视市场情况而定。 

  新闻联系人:

VISHAY

张艳(Chris Zhang)

地址:上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

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Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.™ 。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET 和 PowerPAK 是 Siliconix 公司的注册商标。

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