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Common-Drain-Dual-n-Kanal-60-V-MOSFET von Vishay Intertechnology setzt neue Maßstäbe für Leistungsdichte und Energieeffizienz

Klassenbeste RS‑S(ON)-Spezifikation (ab 10 mΩ  typ.) und branchenführende Werte für RS-S(ON) pro Flächeneinheit – ideal geeignet für bidirektionales Schalten in 24-V-Systemen


Products mentioned:

SiSF20DN
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 11. Dezember 2019 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen Dual-n-Kanal-MOSFET mit 60 V Sperrspannung in Common-Drain-Konfiguration im kompakten, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8SCD-Gehäuse. Der neue MOSFET SiSF20DN bietet unter allen 60-V-Common-Drain-MOSFETs am Markt den kleinsten RS-S(ON)-Wert – das bedeutet maximale Leistungsdichte und Energieeffizienz in Anwendungen wie Batteriemanagementsysteme, Ladegeräte (mit Stecker oder kabellos), DC/DC-Wandler und Stromversorgungen.

Der neue Dual-MOSFET überzeugt durch extrem kleine RS-S(ON)-Werte ab 10 mΩ (typ.) bei 10 V Gate-Spannung und markiert damit den Klassenrekord unter allen 3 mm x 3 mm großen 60-V-Typen. Der genannte Wert bedeutet eine 42,5%-ige Verbesserung im Vergleich zur nächstbesten Lösung gleicher Größe und ist um 89% kleiner als bei Vishays Produkten der Vorgängergeneration. Entsprechend kleiner sind die Durchlassverluste und entsprechend größer ist die Energieeffizienz. Das Produkt aus RS1S2(ON)  und Grundfläche ist beim SiSF20DN um 46,6% kleiner als beim nächstbesten alternativen MOSFET, selbst wenn man größere Typen mit 6 mm x 5 mm Grundfläche in den Vergleich einbezieht.

Das optimierte Gehäusedesign mit zwei monolithisch integrierten TrenchFET®-Gen-IV-n‑Kanal-MOSFETs in Common-Drain-Konfiguration spart Leiterplattenfläche und Bauteile ein und vereinfacht das Leiterplattendesign. Die Source-Anschlüsse des SiSF20DN sind unmittelbar nebeneinander angeordnet und besonders groß. Das verbessert den Kontakt zur Leiterplatte und verringert nochmals den Durchlasswiderstand im Vergleich zu Dual-MOSFETs in herkömmlichen Gehäusebauformen. Durch dieses Design ist der neue MOSFET eine ideale Lösung für bidirektionales Schalten in 24-V-Systemen und industriellen Anwendungen wie: Fabrikautomatisierung, Elektrowerkzeuge, Drohnen, Motorsteuerungen, Haushaltsgeräte, Robotik, Sicherheits-/Überwachungssysteme und Rauchmelder.

Der SiSF20DN wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der neue MOSFET ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 30 Wochen.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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PowerPAK ist eine eingetragene Marke der Firma Siliconix Incorporated.

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