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Der nur 3,3 mm2 große 60-V-MOSFET von Vishay Intertechnology erhöht mit seinem niedrigen RDS(ON) von nur 4 mΩ die Energieeffizienz und Leistungsdichte

Der für Standard-Gate-Treiber-Anwendungen vorgesehene MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse bietet eine Gate-Ladung von nur 22,5 nC und ein QOSS von nur 34,2 nC


Products mentioned:

SiSS22DN
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 12. August 2019 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen, für Standard-Gate-Treiber-Anwendungen optimierten 60-V-TrenchFET®-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im thermisch optimierten, 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse, der – als weltweit erstes Bauteil dieser Art – bei 10 V Gate-Spannung einen maximalen On-Widerstand von nur 4 mΩ aufweist. Der neue MOSFET SiSS22DN von Vishay Siliconix ermöglicht durch seine geringe Gate-Ladung von nur 22,5 nC und seine ähnlich geringe Ausgangsladung (QOSS) Schaltertopologien mit höherer Energieeffizienz und größerer Leistungsdichte.

Anders als 60-V-Leistungs-MOSFETs, die für Ansteuerung mit Logikpegel vorgesehen sind, wurden die typischen VGS(th)- und Miller-Plateau-Spannungen des SiSS22DN für Schaltungen mit Gate-Treiberspannungen größer als 6 V ausgelegt; dadurch bietet das Bauteil optimale dynamische Eigenschaften, die kurze Totzeiten ermöglichen und den Shoot-through-Effekt in Synchrongleichrichter-Anwendungen verhindern. Der On-Widerstand des SiSS22DN ist um 4,8% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt und braucht keinen Vergleich mit dem besten Logikpegel-MOSFET zu scheuen. Dank der niedrigen QOSS von nur 34,2 nC stellt der SiSS22DN einen neuen Klassenrekord für das Produkt aus QOSS und On-Widerstand auf; dies ist eine wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von MOSFETs, die in Spannungswandlerschaltungen mit ZVS- (zero voltage switching) oder Switch-Tank-Topologie eingesetzt werden. Das Bauteil benötigt 65% weniger Leiterplattenfläche als vergleichbare MOSFETs im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse und ermöglicht dadurch deutlich höhere Leistungsdichten.

Die Eigenschaften des SiSS22DN wurden sowohl auf minimale Durchlass- als auch minimale Schaltverluste optimiert. Das führt zu einem höheren Wirkungsgrad in unterschiedlichen Funktionsblöcken eines Power-Management-Systems, darunter: Synchrongleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Topologien; primärseitige Schalter in DC/DC-Wandlern, Halbbrücken-MOSFET-Leistungsstufen in Buck-Boost-Wandlern und OR-Funktionalität in Telekom- und Server-Netzteilen; Motorsteuerungen und Schutzschaltungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung; Batterieschutz- und Ladeschaltungen in Batterie-Management-Modulen.

Der neue MOSFET wird 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiSS22DN ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit ist von der aktuellen Marktsituation abhängig und beträgt derzeit etwa 30 Wochen.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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