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Vishay推出新款2.5 A IGBTMOSFET驱动器
提高逆变器级工作效率

器件最高输出电流2.5 A,适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用


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宾夕法尼亚、MALVERN201924—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。

日前发布的光耦采用CMOS技术,含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs LED,为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使其成为直接驱动1200 V / 100 A额定值IGBT的理想选择。

器件高隔离电压分别为VIORM = 891 V,VIOTM = 6000 V,可用于电机驱动器、太阳能逆变器、开关电源 (SMPS)、感应炉面、不间断电源 (UPS) 电流隔离。此外,其欠压锁定 (UVLO) 功能避免IGBT / MOSFET发生故障,最低35 kV/μs共模瞬变抑制能力有助于消除PCB高压到低压区域噪声问题。

光耦最大传播延迟为0.5 µs,极为适于要求快速开关的应用。器件符合RoHS标准,可在15 V至30 V电源电压和-40 °C至+105 °C工业温度下工作。

VOD3120现可提供样品并已实现量产,供货周期为六周。

  

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张艳(Chris Zhang)

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