ビシェイ社、FRED Pt® Gen 5 1200 V HyperfastUltrafastダイオードの新製品を発表、

伝導損失とスイッチング損失を低減

30 A60 Aデバイス、SiCダイオードとの変換効率ギャップを半減

 

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2019年4月17日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、6種のFRED Pt® Gen 5 1200 V Hyperfast、 Ultrafastダイオードの新製品を発表しました。30 A ・60 Aダイオードはこのクラスのデバイスとしては最良の伝導損失とスイッチング損失のトレードオフを提供し、高周波コンバーター、ハード・ソフトスイッチまたは共振デザインの効率性を向上させる目的で設計されています。

本日リリースされたデバイスはMOSFETや高速IGBTとの併用が可能で、EV/HEVバッテリー充電ステーションのPFCおよび出力整流ステージ、ソーラーインバータのブースターステージ、UPSや溶接用途に最適です。競合するシリコンソリューションと比べて10%低い損失を実現、SiCダイオードとの変換効率ギャップを半減し、50 kHzまでの周波用途向けにコスト効率の高い代替を提供します。

30 A ・60 AダイオードはXタイプHyperfast およびHタイプUltrafastスピードクラス、TO-247Lパッケージで提供されます。30 AデバイスはTO-220ACでの提供も可能です。Xタイプダイオードは低QRR、Hタイプデバイスは低順方向電圧の利点が特長です。両デバイスとも競合製品と同じ順方向電圧を提供しながら40 %低いスイッチング損失とQRRをそれぞれ提供します。デバイスは+175℃までの高温動作を提供します。

デバイス仕様表:

部品番号

VR (V)

IF(AV) (A)

VF typ. (V)1

 

QRR typ. (nC)2

Speed class

trr (ns)3

パッケージ

VS-E5PX3012L-N3

1200

30

2.1

1550

X

26

TO-247AD 2L

VS-E5TX3012-N3

1200

30

2.1

1550

X

26

TO-220AC 2L

VS-E5PH3012L-N3

1200

30

1.7

2150

H

32

TO-247AD 2L

VS-E5TH3012-N3

1200

30

1.7

2150

H

32

TO-220AC 2L

VS-E5PX6012L-N3

1200

60

2.1

2950

X

30

TO-247AD 2L

VS-E5PH6012L-N3

1200

60

1.7

4080

H

38

TO-247AD 2L

1IF = rated current, TJ = 125 °C

2TJ = 125 °C, IF = 40 A, VR = 400 V, dIF/dt = 600 A/ms

3TJ= 25 °C IF = 1 A dIF/dt = 100 A/μs, VR = 30 V

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は18週間です。

参照:ビシェイ社ホームページの製品データシート

VS-E5PX3012L-N3 http://www.vishay.com/ppg?96442

VS-E5TX3012-N3  http://www.vishay.com/ppg?96507

VS-E5PH3012L-N3   http://www.vishay.com/ppg?96501

VS-E5TH3012-N3     http://www.vishay.com/ppg?96506

VS-E5PX6012L-N3   http://www.vishay.com/ppg?96479

VS-E5PH6012L-N3   http://www.vishay.com/ppg?96502  

 

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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FRED Ptは、ビシェイ社の登録商標です。

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