Malvern, Pennsylvania (USA) –28. Januar 2019 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das neueste Bauteil der vierten Generation von 600-V-E-Serie-Leistungs-MOSFETs. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH068N60E von Vishay Siliconix hat einen um 27% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung als die 600-V-E-Serie-MOSFETs der vorherigen Generation und eignet sich durch seine hohe Effizienz bestens für Stromversorgungsanwendungen bei Telekommunikation- und Industrieanwendungen. Der neue MOSFET bietet unter allen vergleichbaren Produkten am Markt die geringste Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine besondere Leistungszahl (FOM, figure of merit) für 600-V-MOSFETs bei Leistungumwandlungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, die den gesamten Stromumwandlungsprozess abdecken – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme. Der SiHH068N60E und noch kommende Bauteile der vierten Generation der 600-V-E-Serie-MOSFETs ist Vishays Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte. In den ersten Stadien der Architektur des Energiesystems – Leistungsfaktorkorrektur und hart geschaltete DC/DC-Wandlertopologien – widmet sich das Unternehmen der Notwendigkeit, Effizienz und Leistungsdichte zu verbesern. 

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH068N60E hat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,059 W bei 10 V Gate-Spannung und eine sehr geringe Gate-Ladung von nur 53 nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit), von nur 3,1 W*nC ist damit um 12% niedriger als der nächstgelegene konkurrierende MOSFET in derselben Klasse. Auch die sehr geringen effektiven Ausgangskapazitäten C_o(er) und C_o(tr) von nur 94 pF bzw. 591 pF tragen zu dem hervorragenden Schaltverhalten des SiHH068N60E bei. Diese exzellenten Werte führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten und spart somit Energie.

Der neue MOSFET im PowerPAK^®-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Ãœberspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%-ig UIS-getestet.

Der SiHH068N60E ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.