Malvern, Pennsylvania (USA)– 18. Februar 2019 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 60-V-TrenchFET^®-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im 6,15 mm x 5,15 mm großen PowerPAK^® SO-8-Single-Gehäuse. Der neue SiR626DP von Vishay Siliconix wurde mit dem Ziel entwickelt, den Wirkungsgrad von Energiewandlern zu verbessern. Er bietet einen um 36% geringeren On-Widerstand als vergleichbare Bauteile der Vorgängergeneration mit der niedrigsten Gate- und Ausgangsladung seiner Klasse.

Der neue MOSFET kombiniert einen On-Widerstand von nur 1,7 mΩ (max.) bei 10 V Gate-Spannung mit einer äußerst geringen Gate-Ladung von 52 nC, einer Ausgangsladung von nur 68 nC und einer C_OSS von nur 992 pF. Daraus resultieren hervorragende Werte für das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand und das Produkt aus Ausgangsladung und On-Widerstand. Beide Parameter sind wichtige Leistungsmerkmale von MOSFETs in Energiewandler-Anwendungen. Die genannten Werte sind um 32% bzw. 45% geringer als bei vergleichbaren Produkten der Vorgängergeneration. Die C_OSS-Kapazität ist um 69% kleiner. 

Die verbesserten Spezifikationen des SiR626DP wurden auf minimale Durchlass- und Schaltverluste optimiert. Das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad von Synchrongleichrichtern in AC/DC-Wandlern, primär- und sekundärseitigem Schalten in galvanisch getrennten Gleichspannungswandlern für Solar-Mikro-Wechselrichter; Stromversorgungen für Telekomausrüstung, Server und medizinische Geräte; Motorsteuerungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung; und Batterieschalter in Batteriemanagement-Modulen.

Der neue MOSFET ist 100% R_G- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Muster des SiR626DP sind sofort lieferbar. Produktionsstückzahlen sind mit einer Lieferzeit von etwa 30 Wochen (je nach Marktsituation) verfügbar.

TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.